Testing of solar cells using fast transients.

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU54512" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU54512 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Testing of solar cells using fast transients.

Original language description

Characterization of solar cells based on evaluation of solar cell response to fast transients is described. The parameters as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and capacitance, serial and parallel resistance and minority carrier lifetime can be acquired easily. The measurement and evaluation procedure is very simple and no expensive devices are needed, but there are two problems which must be always considered. Firstly the recombination time depends on the actual concentration of minoority carriers and also trapping effects can superimpose to the minority carriers concentration decay. Other problem is influence of cell junction parameters, especially the depletion layer capacitance, which masks the recombination phenomena. To cancelthe influence of the depletion layer capacitance a voltage bias in the range 400 - 500 mV was used. The voltage bias was made with dark current bias or with light bias. The measurement and evaluation scheme is given and some parameters of

Czech name

Testování solárních článků pomocí přechodových dějů

Czech description

Je popsána charakterizace solárních článků založená na měření odezvy článku na přechodné děje. Lze snadno určit závěrné napětí přechodu, šířku oblasti prostorového náboje, difúzní a bariérovou kapacitu přechodu, paralelní a sériový odpor a dobu života minoritních nosičů. Měření a vyhodnocení jsou velmi jednoduché a nejsou zapotřebí speciální a drahé přístroje. Pro potlačení vlivu geometrické kapacity přechodu bylo používáno předpětí v rozsahu 400 - 500 mV. Předpětí bylo nastaveno pomocí proudového impullsu za temna nebo pomocí osvětlení. Je uvedeno blokové schéma zařízení a jsou diskutovány parametry naměřené u solárních článků různé kvality.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Electronic Devices and Systems 2005. Proceedings

ISBN

80-214-2990-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

6

Pages from-to

194-199

Publisher name

Nakl. Novotný

Place of publication

Brno

Event location

Brno

Event date

Sep 15, 2005

Type of event by nationality

CST - Celostátní akce

UT code for WoS article

—