Fast Transients in Testing of Silicon Solar Cells

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU65083" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU65083 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Fast Transients in Testing of Silicon Solar Cells

Original language description

In solar cell diagnostic the parameters as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and capacitance, serial and parallel resistance and lifetime of minority carriers are of great importance. Characterization of solar cells based on evaluationof solar cell response to fast transients is described. The measurement and evaluation procedure is very simple and no expensive devices are needed. Because relatively high doping level by standard silicon solar cells a voltage bias in the range 400 - 500 mV is needed.to cancel the influence of the depletion layer capacitance The voltage bias was made with dark current bias or with light bias.

Czech name

Rychlé přechodové děje pro testování solárních článků

Czech description

Parametry náhradního schématu jsou pro určení vlastností solárních článků velmi důlažité. V článku je popsána charakterizace solárních článků založená na měření odezvy článku na přechodné děje. Lze snadno určit závěrné napětí přechodu, šířku oblasti prostorového náboje, difúzní a bariérovou kapacitu přechodu, paralelní a sériový odpor a dobu života minoritních nosičů. Měření a vyhodnocení jsou velmi jednoduché a nejsou zapotřebí speciální a drahé přístroje. Pro potlačení vlivu geometrické kapacity přechodu bylo používáno předpětí v rozsahu 400 - 500 mV. Předpětí bylo nastaveno pomocí proudového impulsu za temna nebo pomocí osvětlení. Je uvedeno blokové schéma zařízení a jsou diskutovány parametry naměřené u solárních článků různé kvality.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Proceedings EDS °06

ISBN

80-214-3246-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

6

Pages from-to

461-466

Publisher name

Nakl. Z. Novotný

Place of publication

NEUVEDEN

Event location

Brno

Event date

Sep 14, 2006

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—