Nanostructured alumina-tantala dielectrics for high-frequency integral capacitors

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APR26575" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PR26575 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/Products.aspx" target="_blank" >http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/Products.aspx</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Nanostructured alumina-tantala dielectrics for high-frequency integral capacitors
Original language description
Three types of thin solid films with the nanoscale inner structures were synthesized by sputtering-deposition and anodizing of Al layer, Al 1.5 at.% Si alloy layer, and Al/Ta bilayer on Si wafers. All the anodic films comprised 1 um thick nanoporous alumina layer as the key component. The essential differences were due to the silicon impurities (AlSi alloy) and the array of nanosized tantalum oxide protrusions in the alumina barrier layer (Al/Ta bilayer).
Czech name
—
Czech description
—

Publication year
2012
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Internal product ID
nano dielectrics
Numerical identification
97418
Technical parameters
Precursor films used: Al (99.99%), Al 1.5at.%Si alloy, Al(99,99%)/Ta(99.95%) bilayer; film thicknesses: Al=2000 nm, Al-Si alloy=2000 nm, Al/Ta=700/250 nm; specific capacitance ... 6.5 nF cm-2, dielectric constant ... 7.3-7.35; loss tangent ... (40-60)x10E-4, leakage current at at 1.0 MV cm-1 ... 3x10E-12 Breakdown voltage ... 170-270 V Funkční vzorek byl na základě získaných poznatků zkonstruován a ověřen. Je využíván na pracovišti řešitele LabSensNano (VUT v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Ústav mikroelektroniky, Technická 3058/10, 616 00 Brno, Česká republika)
Economical parameters
The technology enables high-volume, low-cost solution for electronics and microelectronics Costs for developing 300.000 CZK
Application category by cost
—
Owner IČO
—
Owner name
Ústav mikroelektroniky
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)
Licence fee requirement
—
Web page
http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/Products.aspx

Similar results(10)