All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

On Boron Diffusion in MgF2

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26722445%3A_____%2F09%3A%230000393" target="_blank" >RIV/26722445:_____/09:#0000393 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    On Boron Diffusion in MgF2

  • Original language description

    The MgF2 monocrystals were irradiated with 390 keV B+ ions up to the fluence of 1016 cm-2. The irradiated samples were annealed at the temperatures 200? - 700?C for the times ranging from 2 ? 100 hours. After each annealing step, the boron depth distribution was determined using the neutron depth profiling technique. As implanted, the depth distributions of boron exhibited standard Gaussian-like forms. Annealing at temperatures up to 400?C did not change the depth profiles. Annealing at 600?C, however,led to a one-way gradual transfer of the boron atoms from the site of implantation towards the sample surface, and in this way a bimodal profile was created. The amount of boron atoms, transferred to the sample surface, was an increasing function of theannealing time. After annealing at 700?C for 64 hours the bimodal profile collapsed into a single broad distribution, extending from the sample surface up to the implantation depth.

  • Czech name

    O difúzi bóru v MgF2

  • Czech description

    Monokrystaly MgF2 byly ozářeny ionty bóru o energii 390 keV s fluencí 1016 cm-2. Ozářené vzorky byly žíhány při teplotách 200? - 700?C po dobu 2 - 100 hodin. Po každém žíhání byla distribuce bóru měřena metodou neutronového hloubkového profilování. Ukázalo se, že nežíhané vzorky mají distribuci bóru ve tvaru standarního Gaussovského rozdělení. Žíhání vzorků do teploty 400?C nevedlo k žádným změnám hloubkových profilů bóru. Žíhání vzorků při teplotě 600?C však vedlo k jednosměrnému transferu implantovaných bórových atomů k povrchu. Tímto způsobem vzniklo bimodální hloubkové rozdělení. Množství bórových atomů, které se přemístily k povrchu bylo rostoucí funkcí doby žíhání. Při žíhání 700?C po dobu 64 hodin došlo ke kolapsu bimodálního rozdělení a ke vzniku široké distribuce přesahující oblast od povrchu až k hloubce implantace bóru. Naměřená data svědčí o stabilitě hloubkových profilů implantovaných bórových atomů při nižších teplotách žíhání.

Classification

  • Type

    D - Article in proceedings

  • CEP classification

    BG - Nuclear, atomic and molecular physics, accelerators

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

  • Continuities

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Others

  • Publication year

    2009

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Article name in the collection

    AIP Conference Proceedings, 1099

  • ISBN

    978-0-7354-0633-9

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Number of pages

    4

  • Pages from-to

  • Publisher name

    AIP

  • Place of publication

    USA

  • Event location

    Fort Worth, Texas

  • Event date

    Jan 1, 2008

  • Type of event by nationality

    WRD - Celosvětová akce

  • UT code for WoS article

    000265828500185