Advanced Silicon Wafer Manufacturing for Sub-Micron Technologies

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F06%3A%230000006" target="_blank" >RIV/26821532:_____/06:#0000006 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Advanced Silicon Wafer Manufacturing for Sub-Micron Technologies

Original language description

We discuss possibilities of development of silicon wafers for advanced sub-micron semiconductor technologies. We are focused on both bulk and surface properties of 150 mm silicon wafers. Due to complexity of the matter we demonstrate only the major itemsand publish our main results. Silicon crystal bulk properties are related to process parameters of crystal growth. We successfully use computer simulation of the process. Verified computer model gives us an important view to the hardly measurable parameters necessary for understanding thermal history and corresponding bulk properties of silicon ingot. We also study possibilities of significant wafer flatness improvement. All results are valuable for development of advanced silicon wafers with larger diameter.

Czech name

Výroba pokročilé křemíkové desky pro sub-mikronové technologie

Czech description

Diskutujeme možnosti vývoje křemíkových desek pro pokročilé sub-mikronové polovodičové technologie. Zaměřujeme se na objemové a povrchové valstnosti 150 mm křemíkových desek. Pro vývoj objemových vlastností krystalů křemíku úspěšně využíváme počítačové simulace procesu růstu krystalů. Dosaáhli jsme významného pokroku ve vývoji křemíkových desek vysoké rovinnosti. Výsledky jsou předpokladem pro další práci s deskami větších průměrů.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/FI-IM2%2F131" target="_blank" >FI-IM2/131: *Research and development of advanced silicon wafer for sub-micron technologies.</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

SILICON 2006

ISBN

80-239-7781-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

5

Pages from-to

418-422

Publisher name

TECON Scientific, s.r.o. (ed. K. Vojtěchovský)

Place of publication

Rožnov pod Radhoštěm (CZ)

Event location

Rožnov pod Radhoštěm (CZ)

Event date

Nov 7, 2006

Type of event by nationality

EUR - Evropská akce

UT code for WoS article

—