Manufacturing technology SiC/MOSFET Wafering
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F23%3AN0000001" target="_blank" >RIV/26821532:_____/23:N0000001 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Výrobní technologie SiC/MOSFET Wafering
Original language description
Výrobní technologie SiC/MOSFET Wafering je komplexní technologický postup výroby leštěných desek karbidu křemíku pro polovodičové aplikace (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Vstupním materiálem je monokrystal 4-H SiC s požadovanými parametry pro polovodičové aplikace. SiC Wafering pak zahrnuje dílčí procesy (ve zjednodušeném popisu): rozčlenění krystalu na desky (laserovou technologií KABRA), popis desek laserem pro jejich další adresnou sledovatelnost, zaoblení desek, broušení desek, leštění, mytí a měření parametrů desek (finální desky i mezi jednotlivými operacemi), pokročilé metody charakterizace desek (FTIR, x-ray, AFM). Výstupem technologie je leštěná deska karbidu křemíku průměru 150 mm ve specifikaci pro MOSFET aplikace.
Czech name
Výrobní technologie SiC/MOSFET Wafering
Czech description
—
Classification
Type
Z<sub>tech</sub> - Verified technology
CEP classification
—
OECD FORD branch
20501 - Materials engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/EG20_321%2F0024782" target="_blank" >EG20_321/0024782: Research and Development of Manufacturing Technologies for SiC Crystals and Wafers for Advanced Electronic Applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2023
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
N06HH
Numerical identification
3313034
Technical parameters
Výrobní technologie SiC/MOSFET Wafering je komplexní technologický postup výroby leštěných desek karbidu křemíku pro polovodičové aplikace (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Vstupním materiálem je monokrystal 4-H SiC s požadovanými parametry pro polovodičové aplikace. SiC Wafering pak zahrnuje dílčí procesy (ve zjednodušeném popisu): rozčlenění krystalu na desky (laserovou technologií KABRA), popis desek laserem pro jejich další adresnou sledovatelnost, zaoblení desek, broušení desek, leštění, mytí a měření parametrů desek (finální desky i mezi jednotlivými operacemi), pokročilé metody charakterizace desek (FTIR, x-ray, AFM). Výstupem technologie je leštěná deska karbidu křemíku průměru 150 mm ve specifikaci pro MOSFET aplikace. Klíčové indikátory: referenční výrobní cena leštěné desky SiC, průměr 150 mm: Jednotková cena <900 USD, výtěžnost technologického procesu (tj. počet desek v cílové specifikaci v poměru k počtu teoretickému počtu desek, které je možné vyrobit ze vstupního krystalu): >80%, kapacita KABRA procesu >40 desek/den (v ověřená způsobilost pro MOSFET aplikace.
Economical parameters
Jednotková cena <900 USD, výtěžnost technologického procesu (tj. počet desek v cílové specifikaci v poměru k počtu teoretickému počtu desek, které je možné vyrobit ze vstupního krystalu): >80%, kapacita KABRA procesu >40 desek/den (v ověřená způsobilost pro MOSFET aplikace.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
www.onsemi.com