Manufacturing technology for silicon carbide subsrates
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000008" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000008 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Technologie výroby substrátů karbidu křemíku
Original language description
Technologie výroby substrátů karbidu křemíku: rozčlenění krystalu (řezání/split), úprava povrchů desek (broušení, leštění, leptání, mytí) a metody měření parametrů substrátu (geometrických parametrů desky, kvality povrchu, elektrického měrného odporu, ověření akceptovatelné koncentrace defektů).
Czech name
Technologie výroby substrátů karbidu křemíku
Czech description
Technologie výroby substrátů karbidu křemíku: rozčlenění krystalu (řezání/split), úprava povrchů desek (broušení, leštění, leptání, mytí) a metody měření parametrů substrátu (geometrických parametrů desky, kvality povrchu, elektrického měrného odporu, ověření akceptovatelné koncentrace defektů).
Classification
Type
Z<sub>tech</sub> - Verified technology
CEP classification
—
OECD FORD branch
20501 - Materials engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH03020005" target="_blank" >TH03020005: RandD of Bulk Semiconductor Material with Wide Bandgap</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2021
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
TH03020005-V7
Numerical identification
—
Technical parameters
Kvalifikace vlastní výrobní technologie proběhla ve třech úrovních: Výběr technologických zařízení, výzkumně-vývojové testy, instalace a akceptace zařízení - vytvoření poloprovozu (CPR02627; 03473 a 03474). Kvalifikace výrobní technologie "SiC Wafering" pro výrobu SiC desek pro následnou kvalifikaci produktu u zákazníka (výrobní linky v South Portland/USA a Bucheonu/Korea). Kvalifikace produktu - leštěné SiC desky a s tím, spojené uzavření kvalifikace výrobní linky a její převod do výroby od ledna 2021. Kompletní výrobní flow: vstupní krystal-řezání/split na desky, broušení, broušení okraje, popis desek laserem, leštění, CMP, mytí, metrologie/inspekce, balení.
Economical parameters
Realizovaná investice do poloprovozu: 16 mil. $, kapacita 500 desek/týden.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—