Final Product Specification for Thick Polished Wafers W7584B00 for GaN/AlN Epitaxial Growth

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F15%3A%230000091" target="_blank" >RIV/26821532:_____/15:#0000091 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Final Product Specification for Thick Polished Wafers W7584B00 for GaN/AlN Epitaxial Growth
Original language description
Specification of the substrate for the growth of GaN / AlN layers and functional sample substrate (for ideal growth nucleation layer) of silicon wafer with 150 mm in diameter, the optimized: thickness due to the deflection of the wafer during depositionand after deposition, variability of wafer thickness, global and local flatness, micro-roughness surface (RMS ), method of treatment of the wafer edge, crystallographic orientation, the dopant and the dopant concentration, the light scattering defects onthe surface.
Czech name
—
Czech description
—

Project
<a href="/en/project/TH01011284" target="_blank" >TH01011284: Novel Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2015
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
TH01011284-2015V004 Thick Polished Wafers
Numerical identification
—
Technical parameters
Polished wafer, diameter 150,0 +/- 0,2 mm, thickness 1000 +/- 15 um, surface crystal orientation On <111> 0°? 0.5°, site flatness <1.5 ?m SFQD (SFPD) - Site Size 20 x 20 mm, warp < 20 um, bow < 10 um, flatness < 3.0 ?m GTIR, boron doped, electrical resistivity 5-50 ohmcm, oxygen content 26.0 ? 35.0 ppma per SEMI MF1188. Výsledek využije ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o. (IČ 26821532) ve vlastní výrobě. Odpovědná osoba: Michal Lorenc, ON SEMICONDUCTOR, 1. máje 2230, 7561 61 Rožnov p.R., +420 571 754 507, michal.lorenc@onsemi.com.
Economical parameters
Jednotková cena 20 USD/deska. Aplikační potenciál (vlastní proces MOCVD, 2016): min. 100 desek/měsíc.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence
Licence fee requirement
Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek
Web page
—

Similar results(10)