200 mm Silicon Substrate for Heteroepitaxial Applications

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000017" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000017 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/26821532:_____/17:N0000007
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
Křemíkový substrát průměru 200 mm pro heteroepitaxní aplikace
Original language description
Specifikace Si desky pro heteroepitaxní aplikace a funkční vzorek leštěného substrátu. Průměr leštěné desky 200+/0,2 mm, tloušťka 0,75 - 1,25 mm (z ekonomických i technických důvodů je přínosné dosažení minimální tloušťky substrátu, ale substrát zároveň musí mít dostatečné mechanické vlastnosti pro heteroepitaxní růst). Krystalografická orientace <111>, CZ Si, dopant B, měrný elektrický odpor > 1 ohm.cm.
Czech name
Křemíkový substrát průměru 200 mm pro heteroepitaxní aplikace
Czech description
Specifikace Si desky pro heteroepitaxní aplikace a funkční vzorek leštěného substrátu. Průměr leštěné desky 200+/0,2 mm, tloušťka 0,75 - 1,25 mm (z ekonomických i technických důvodů je přínosné dosažení minimální tloušťky substrátu, ale substrát zároveň musí mít dostatečné mechanické vlastnosti pro heteroepitaxní růst). Krystalografická orientace <111>, CZ Si, dopant B, měrný elektrický odpor > 1 ohm.cm.

Project
<a href="/en/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Novel semiconductor structures for advanced electronic applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2021
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
TH02010014-V5
Numerical identification
—
Technical parameters
TH02010014-2017V005 - Funkční vzorky silně (a slabě) legovaných Si substrátů průměru 200 mm pro GaN MOCVD. DAR18413919 (DAR18413917) - specifikace desky v souladu s 52MON04604D, General Specification for Polished and Epitaxial Silicon Wafers, řízený dokument id 52AON81953G (52AON81952G), specifikace id W8586B00 (W8583B00), verze O schválena v korporátním systemu AGILE 1/2018. Leštěný křemíkový substrát, 200.0 ± 0.1 mm; Wafer Thickness 1150 ± 15 um; Surface Orientation On <111> 0°± 0.5°; CZ Si:B; <111>; Resistivity/Radial Variation max. 0.003 Ohm.cm (5.0 – 50.0 Ohm.cm)/ max. 10% per SEMI MF81, Plan B @ 6mm; Oxygen Concentration/Oxygen Radial Variation 26.0 – 35.0 ppma per SEMI MF1188, Plan C @ 6mm; Thickness Variation (TTV) max. 6.0 um; Bow max. 10.0 μm; Warp max. 40.0 um; Flatness max. 3.0 μm GTIR; Site Flatness max. 1.5 μm SFQD (SFPD). Funkční vzorky podle specifikace použity ve vlastním MOCVD procesu (12/2017).
Economical parameters
Cena desky <50$.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—

Similar results(10)