Manufacturing of 200 mm substrates for heteroepitaxial semiconductor technologies

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000016" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000016 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
Výroba substrátů průměru 200 mm pro heteroepitaxní polovodičové technologie
Original language description
Ověřená technologie výroby substrátů průměru 200 mm pro heteroepitaxní polovodičové technologie. Deska musí splňovat všechny polovodičové standardy a navíc vyhovovat nárokům heteroepitaxního procesu (především z hlediska tloušťky, zpracování okraje a zadní strany). Ověřená technologie (kvalifikace nového procesu) zahrnuje širší skupinu desek orientace <111> s využitím možného legování B, As, P a Sb v kompletním spektru koncentrací.
Czech name
Výroba substrátů průměru 200 mm pro heteroepitaxní polovodičové technologie
Czech description
Ověřená technologie výroby substrátů průměru 200 mm pro heteroepitaxní polovodičové technologie. Deska musí splňovat všechny polovodičové standardy a navíc vyhovovat nárokům heteroepitaxního procesu (především z hlediska tloušťky, zpracování okraje a zadní strany). Ověřená technologie (kvalifikace nového procesu) zahrnuje širší skupinu desek orientace <111> s využitím možného legování B, As, P a Sb v kompletním spektru koncentrací.

Project
<a href="/en/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Novel semiconductor structures for advanced electronic applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2021
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
TH02010014-V7
Numerical identification
—
Technical parameters
Výsledkem VaV Si substrátů o průměru 200 mm pro růst nitridových struktur je technologie výroby pro substrát W8583B00. Byl zvolen slabě legovaný materiál (B-doped, 5-50 Ω.cm) a tloušťka 950 μm s ohledem na výrobní postup desek, kdy má deska před leštěním tloušťku o několik desítek μm vyšší. Protože řada výrobních a metrologických zařízení je limitována tloušťkou 1000 μm, byla jako cílová tloušťka zvolena 950±15 μm. Požadavky na geometrické parametry jsou přísnější, než u standardních křemíkových desek (|Bow| ≤ 15 μm, Warp ≤ 40 μm), stejně jako u 150 mm substrátů. Výrobní postup produktu W8583B00 byl implementován do interního systému řízení výroby „Promis“, id 020 F-C-SPECETCH_8-011.02. Proces byl kvalifikován s označením CABpro_19_02_W8583B00.
Economical parameters
Cena Si desky <60$ (průměr 200 mm)
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—

Similar results(10)