Functional sample of 200 mm wafer with functional hteroepitaxial structure
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000013" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000013 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Funkční vzorek desky průměru 200 mm s funkční heteroepitaxní strukturou
Original language description
Funkční vzorky desek průměru 200 mm s nitridovou heteroepitaxní strukturou pro výrobu e-mode HEMT tranzistoru - 2 procesní MOCVD várky (č. 20190304-02 a 20190306-01), 4 funkční vzorky se standartní optimalizovanou strukturou. 3 desky ověřeny v IMEC (procesní várka P192011) kvalifikovanou technologií výroby a zpracování 200 mm.
Czech name
Funkční vzorek desky průměru 200 mm s funkční heteroepitaxní strukturou
Czech description
Funkční vzorky desek průměru 200 mm s nitridovou heteroepitaxní strukturou pro výrobu e-mode HEMT tranzistoru - 2 procesní MOCVD várky (č. 20190304-02 a 20190306-01), 4 funkční vzorky se standartní optimalizovanou strukturou. 3 desky ověřeny v IMEC (procesní várka P192011) kvalifikovanou technologií výroby a zpracování 200 mm.
Classification
Type
G<sub>funk</sub> - Functional sample
CEP classification
—
OECD FORD branch
20201 - Electrical and electronic engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Novel semiconductor structures for advanced electronic applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2021
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
TH02010014-V18
Numerical identification
—
Technical parameters
200 mm deska s nitridovou strukturou pro e-mode HEMT tranzistory, ale také pro diody a integrované obvody založené na nitridových heterostrukturách v rozsahu napětí 200 V – 650 V. Úplná technická dokumentace k výsledku je uložena u příjemce a spolupříjemce. Shrnutí je provedeno formou technické zprávy se 4 přílohami: Tomáš Novák: TH02010014-2019V005 – FUNKČNÍ VZOREK DESKY PRŮMĚRU 200 MM S FUNKČNÍ HETEROEPITAXNÍ STRUKTUROU (FUNKČNÍ VZOREK), ON Semiconductor, Rožnov p.R., 2019, 9 str. TH02010014-2019V005-P1: Specifikace použitého 200 mm Si substrátu Siltronic TH02010014-2019V005-P2: IMEC measurement report – lot P192011 TH02010014-2019V005-P3: IMEC measurement report – lot P192011 TH02010014-2019V005-P4: IMEC measurement report – lot P192011
Economical parameters
Cena desky <1000$ (průměr desky 200 mm).
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—