Samples of nitride strctures on alternate substrates
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000014" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000014 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Vzorky nitridových struktur na alternativních substrátech
Original language description
V rámci výroby funkčních vzorků desek s nitridovými strukturami prezentujeme dva vzorky HEMT struktur na substrátech alternativních ke standardnímu křemíku. Prvním je plně interní deska GaN-on-SOI o průměru 150 mm s e-mode HEMT strukturou. Výrobní postup odpovídá vlastnímu kvalifikovanému produktu s označením W765S00. Při růstu optimalizované nitridové struktury pro e-mode HEMT bylo dosaženo vynikajících výsledků. Jako funkční vzorky prezentujeme 10 desek připravených v pěti MOCVD procesních várkách. Druhým prezentovaným funkčním vzorkem je deska s d-mode HEMT strukturou na safírovém substrátu (FZÚ).
Czech name
Vzorky nitridových struktur na alternativních substrátech
Czech description
V rámci výroby funkčních vzorků desek s nitridovými strukturami prezentujeme dva vzorky HEMT struktur na substrátech alternativních ke standardnímu křemíku. Prvním je plně interní deska GaN-on-SOI o průměru 150 mm s e-mode HEMT strukturou. Výrobní postup odpovídá vlastnímu kvalifikovanému produktu s označením W765S00. Při růstu optimalizované nitridové struktury pro e-mode HEMT bylo dosaženo vynikajících výsledků. Jako funkční vzorky prezentujeme 10 desek připravených v pěti MOCVD procesních várkách. Druhým prezentovaným funkčním vzorkem je deska s d-mode HEMT strukturou na safírovém substrátu (FZÚ).
Classification
Type
G<sub>funk</sub> - Functional sample
CEP classification
—
OECD FORD branch
20201 - Electrical and electronic engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Novel semiconductor structures for advanced electronic applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2021
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
TH02010014-V17
Numerical identification
—
Technical parameters
Plně interně vyrobená deska GaN-on-SOI o průměru 150 mm s e-mode HEMT strukturou. Byly připraveny dvě procesní várky SOI substrátů: TJ40900.2A (25 kusů) a TJ40899.2J (22 kusů). Výrobní postup odpovídá kvalifikovanému produktu s označením W765S00 (uzavřená kvalifikace č. ZKP 17/35, SOI deska vyráběná v ON Semiconductor Czech Republic pro technologii IGBT) s úpravami popsanými ve zprávě TH02010014-2019V002. Při růstu optimalizované nitridové struktury pro e-mode HEMT bylo dosaženo vynikajících výsledků. Jako funkční vzorky prezentujeme 10 desek připravených v pěti MOCVD procesních várkách
Economical parameters
Cena desky <700$ (GaN on SOI, průměr 150 mm)
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—