Functional sample of optimized HEMT device

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F17%3AN0000004" target="_blank" >RIV/26821532:_____/17:N0000004 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
Ověřený funkční vzorek optimalizované součástky HEMT
Original language description
Funkční vzorek optimalizované součástky HEMT s doložením naměřených charakteristik. Samotná součástka byla vyrobena na finální epitaxní struktuře pro HEMT ve spolupráci s výrobní linkou korporace ON Semiconductor v Oudenaarde - ON/FAB3 (Belgie).
Czech name
Ověřený funkční vzorek optimalizované součástky HEMT
Czech description
Funkční vzorek optimalizované součástky HEMT s doložením naměřených charakteristik. Samotná součástka byla vyrobena na finální epitaxní struktuře pro HEMT ve spolupráci s výrobní linkou korporace ON Semiconductor v Oudenaarde - ON/FAB3 (Belgie).

Project
<a href="/en/project/TH01011284" target="_blank" >TH01011284: Novel Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2017
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
NH25683
Numerical identification
TH01011284-V12
Technical parameters
Funkční vzorek se strukturou využívající p++ substrát, supermřížkový typ vyrovnávací struktury s 100 periodami dvouvrstvy 5 nm AlN/ 25 nm Al0,1GaN, 700 nm C:GaN vrstvy s koncentrací uhlíku 2e19 at/cm3 a aktivní struktury skládající se z 600 nm nedopovaného GaN a 15 nm Al0,25GaN. Povrchová pasivace je tvořena multivrstvou SiN/AlN/SiN s tloušťkami 40/4/85 nm. Na substrátech s výše popsanou strukturou byly v lince FAB3 ON Semiconductor v Belgii vyrobeny d-mode HEMT součástky. Na součástkách byly vyhodnoceny kritické parametry a vyhodnocena celková výtěžnost procesu. Funkční vzorek - deska č. 21 lotu NH25683.
Economical parameters
Výrobní náklady desky průměru 150 mm s HEMT strukturami < 1000 USD. Kapacita 5 desek/ běh (k465i VEECO), 2 běhy/den. Výsledek využije řešitel pro vlastní výrobu.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—

Similar results(10)