Qualified technology for manufacturing of heteroepitaxial structures of GaN/Si for HEMT

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F17%3AN0000005" target="_blank" >RIV/26821532:_____/17:N0000005 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
Ověřená technologie výroby epitaxních struktur GaN/Si pro HEMT
Original language description
Ověřená technologie MOCVD pro heteroepitaxní struktury s použitím supermřížkové vyrovnávací vrstevnaté struktury. Uvedená heteroepitaxní struktura splňuje všechny požadavky pro výrobu „depletion mode“ HEMT součástky s provozním napětím 650V s velmi vysokou výtěžností > 90% a světově konkurenceschopnou cenou substrátové desky.
Czech name
Ověřená technologie výroby epitaxních struktur GaN/Si pro HEMT
Czech description
Ověřená technologie MOCVD pro heteroepitaxní struktury s použitím supermřížkové vyrovnávací vrstevnaté struktury. Uvedená heteroepitaxní struktura splňuje všechny požadavky pro výrobu „depletion mode“ HEMT součástky s provozním napětím 650V s velmi vysokou výtěžností > 90% a světově konkurenceschopnou cenou substrátové desky.

Project
<a href="/en/project/TH01011284" target="_blank" >TH01011284: Novel Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2017
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
331-3042
Numerical identification
TH01011284-V14
Technical parameters
Ověřená technologie MOCVD pro heteroepitaxní struktury s použitím supermřížkové vyrovnávací vrstevnaté struktury. Uvedená heteroepitaxní struktura splňuje všechny požadavky pro výrobu „depletion mode“ HEMT součástky s provozním napětím 650V s velmi vysokou výtěžností > 90% a konkurenceschopnou cenou substrátové desky < 400 USD. Ověřená technologie je podložena řízenou dokumentací, která zahrnuje pracovní postupy, popis obsluhy a údržby zařízení (reaktoru, žíhací pece a měřících zařízení), specifikace médií (především NH3, TMGa, TMAl, H2, N2), pomocných zařízení a přípravků (asanátorů, vývěv, dočišťovačů) a vstupních materiálů (substrátů a susceptorů). Pro novou technologii jsou alokovány samostatné prostory a bylo zřízeno samostatné nákladové středisko 331-3014.
Economical parameters
Kapacita 10 desek/den (Veeco k465i), výrobní cena < 1000 USD/deska. Výsledek uplatněn pro vlastní výrobu řešitele.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—

Similar results(10)