Advanced BESOI Technology
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F13%3A%230000067" target="_blank" >RIV/26821532:_____/13:#0000067 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Pokročilá BESOI technologie
Original language description
Pokročilá BESOI technologie - Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator ? je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) Výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) Oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Růst specifické epitaxní struktury s ?etch-stop?efektem, 4) Vhodnou úprava povrchu epitaxní desky, bonding křemíkových desek a nízkoteplotní žíhání bondovaného páru, 5) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 6) Broušení a leštění SOI desky, 7) Selektivní leptání na etch-stop, odstraněníetch-stop, 8) Chemicko-mechanická planarizace (CMP) aktivní oblasti BESOI, 9) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 ? 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti > 1 um s nízkou variabilitou tloušťky až +/- 0.1 um.
Czech name
Pokročilá BESOI technologie
Czech description
Pokročilá BESOI technologie - Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator ? je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) Výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) Oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Růst specifické epitaxní struktury s ?etch-stop?efektem, 4) Vhodnou úprava povrchu epitaxní desky, bonding křemíkových desek a nízkoteplotní žíhání bondovaného páru, 5) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 6) Broušení a leštění SOI desky, 7) Selektivní leptání na etch-stop, odstraněníetch-stop, 8) Chemicko-mechanická planarizace (CMP) aktivní oblasti BESOI, 9) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 ? 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti > 1 um s nízkou variabilitou tloušťky až +/- 0.1 um.
Classification
Type
Z<sub>tech</sub> - Verified technology
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: SOI Structures for Advanced Semiconductor Applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2013
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
BESOI-CZ2-ZKZ13/103
Numerical identification
—
Technical parameters
DEVICE LAYER > 1 um, RADIÁLNÍ VARIABILITA +/-0.1um, BOX 100-2000 nm, WAFER DIAMETER 150 a 200 mm, SPECIFIKACE EPITAXNÍ DESKY PRO POLOVODODIČOVÉ APLIKACE. Výsledek bude využit příjemcem - ON SEMICONDUCTOR (IČ26821532) ve výrobní lince CZ2. Licenční smlouva nebyla uzavřena. Odpovědnost: M. Lorenc, +420571754507, michal.lorenc@onsemi.com.
Economical parameters
JEDNOTKOVÁ CENA 100 USD/STANDARDNÍ BGSOI DESKA (PRŮMĚR 150 mm), očekávaný roční objem výroby min. 1 tis. desek.
Application category by cost
—
Owner IČO
25739336
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
—