DEMO SAMPLE (PROTOTYPE) BESOI/1um WAFER

Result code in IS VaVaI

RIV/26821532:_____/12:#0000035 - isvavai.cz

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

DEMO SAMPLE (PROTOTYPE) BESOI/1um WAFER

Original language description

Prototype (sample) of Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator (BESOI) wafer. BESOI wafer diameter 150 mm, CZSi substrate heavily doped by Phosphorus (<0.002 ohmcm) thickness 625 um, BOX (buried oxide layer) 620 nm, epitaxial device layer thickness 1.0 um, device layer thickness variability +/- 0.2 um. Crystallographic orientation (100). Bonded interface: BOX/device layer. Back side surface: thermal oxide > 200 nm.

Czech name

—

Czech description

—

Type

G_funk - Functional sample

CEP classification

JJ - Other materials

OECD FORD branch

—

Project

TA01010078: SOI Structures for Advanced Semiconductor Applications

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2012

Confidentiality

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID

V001/TA01010078-W660S01 SOI /1?m

Numerical identification

—

Technical parameters

Diameter 150 mm, CZSi:P <0.002 ohmcm (100), THK 625 um, BOX 620 nm, EPI DL THK 1.0 um +/- 0.2 um. .

Economical parameters

Wafer Costs < 100 USD

Application category by cost

—

Owner IČO

26821532

Owner name

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce

Owner country

CZ - CZECH REPUBLIC

Usage type

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licence fee requirement

A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

Web page

—