DEMO SAMPLE (PROTOTYPE) BESOI/1um WAFER

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F12%3A%230000035" target="_blank" >RIV/26821532:_____/12:#0000035 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
DEMO SAMPLE (PROTOTYPE) BESOI/1um WAFER
Original language description
Prototype (sample) of Bond and Etch Back Silicon-On-Insulator (BESOI) wafer. BESOI wafer diameter 150 mm, CZSi substrate heavily doped by Phosphorus (<0.002 ohmcm) thickness 625 um, BOX (buried oxide layer) 620 nm, epitaxial device layer thickness 1.0 um, device layer thickness variability +/- 0.2 um. Crystallographic orientation (100). Bonded interface: BOX/device layer. Back side surface: thermal oxide > 200 nm.
Czech name
—
Czech description
—

Project
<a href="/en/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: SOI Structures for Advanced Semiconductor Applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2012
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
V001/TA01010078-W660S01 SOI /1?m
Numerical identification
—
Technical parameters
Diameter 150 mm, CZSi:P <0.002 ohmcm (100), THK 625 um, BOX 620 nm, EPI DL THK 1.0 um +/- 0.2 um. .
Economical parameters
Wafer Costs < 100 USD
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
—

Similar results(10)