DEMO SAMPLE (PROTOTYPE ) ? V001/TA01010078 - W750S01/S00 SOI Wafers / 3 ?m

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F12%3A%230000036" target="_blank" >RIV/26821532:_____/12:#0000036 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
DEMO SAMPLE (PROTOTYPE ) ? V001/TA01010078 - W750S01/S00 SOI Wafers / 3 ?m
Original language description
Prototype (sample) of Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator (BGSOI) wafer. BGSOI wafer diameter 150 mm, CZSi substrate sligthly doped by Boron (3-13 ohmcm), thickness 625 or 525 um, BOX (buried oxide layer) 620 nm, defect-free device layer thickness 3+/- 0.3 um. Crystallographic orientation (100). Bonded interface: BOX/device layer. Back side surface: thermal oxide > 200 nm.
Czech name
—
Czech description
—

Project
<a href="/en/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: SOI Structures for Advanced Semiconductor Applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2012
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
V001/TA01010078-W750S01/S00
Numerical identification
—
Technical parameters
Diameter 150 mm, substrate CZSi:B 3-13 ohmcm, (100), THK 625 or 525 um, BOX 620 nm, defect-free DL THK 3 +/- 0.3 um.
Economical parameters
Wafer costs < 60 USD.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
—

Similar results(10)