All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

200 MM BGSOI WAFER

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F13%3A%230000070" target="_blank" >RIV/26821532:_____/13:#0000070 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    200 MM BGSOI WAFER

  • Original language description

    BGSOI (BOND and GRIND back SILICON-ON-INSULATOR) wafer for BCD100 technology. Polished BGSOI wafer with diameter of 200 mm consists from thin device layer (3 um), thin BOX (BURIED OXIDE) layer (700 - 1400 nm) and silicon substrate.

  • Czech name

  • Czech description

Classification

  • Type

    G<sub>funk</sub> - Functional sample

  • CEP classification

    JJ - Other materials

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: SOI Structures for Advanced Semiconductor Applications</a><br>

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2013

  • Confidentiality

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Data specific for result type

  • Internal product ID

    W850S00

  • Numerical identification

  • Technical parameters

    Wafer diameter: 200+/-0.2 mm, wafer thickness: 725 +/-20 um, WARP max. 60 um, BOW max. 30 um, TTV max. 3 um, SOI layer thickness 3 +/- 0.5 um, BOX 700 - 730 nm, prime polished wafers specification. Výsledek bude využit příjemcem - ON SEMICONDUCTOR (IČ26821532) ve výrobní lince CZ2. Licenční smlouva nebyla uzavřena. Odpovědnost: M. Lorenc, +420571754507, michal.lorenc@onsemi.com.

  • Economical parameters

    Jednotková cena 125 USD/deska, očekávaná výroba min. 5000 desek/rok.

  • Application category by cost

  • Owner IČO

    26821532

  • Owner name

    ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

  • Owner country

    CZ - CZECH REPUBLIC

  • Usage type

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Licence fee requirement

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Web page