All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Advanced BGSOI Technology

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F13%3A%230000066" target="_blank" >RIV/26821532:_____/13:#0000066 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    čeština

  • Original language name

    Pokročilá BGSOI technologie

  • Original language description

    Pokročilá BGSOI technologie - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator ? je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Bonding křemíkových desek a žíhání bondovaného páru, 4) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 5) Broušení a leštění SOI desky, 6) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 ? 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti 2 ? 120 um.

  • Czech name

    Pokročilá BGSOI technologie

  • Czech description

    Pokročilá BGSOI technologie - Bond and Grind Back Silicon-On-Insulator ? je založena na výrobním flow zahrnujícím: 1) výrobu leštěných křemíkových desek pro SOI, 2) oxidaci desek pro BOX (Buried Oxide), 3) Bonding křemíkových desek a žíhání bondovaného páru, 4) Broušení aktivní vrstvy a broušení okraje SOI desky, 5) Broušení a leštění SOI desky, 6) Čištění SOI desek a měření parametrů SOI desek. Technologie umožňuje výrobu leštěných SOI desek v průměrech 150 a 200 mm, s tloušťkou BOX 100 ? 2000 nm, s tloušťkou aktivní oblasti 2 ? 120 um.

Classification

  • Type

    Z<sub>tech</sub> - Verified technology

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: SOI Structures for Advanced Semiconductor Applications</a><br>

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2013

  • Confidentiality

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Data specific for result type

  • Internal product ID

    BGSOI-CZ2-ZKZ12/59

  • Numerical identification

  • Technical parameters

    DEVICE LAYER 2-120 um, RADIÁLNÍ VARIABILITA +/-0.5um, BOX 100-2000 nm, WAFER DIAMETER 150 a 200 mm, SPECIFIKACE LEŠTĚNĚ DESKY PRO POLOVODODIČOVĚ APLIKACE. Výsledek bude využit příjemcem - ON SEMICONDUCTOR (IČ26821532) ve výrobní lince CZ2. Licenční smlouva nebyla uzavřena. Odpovědnost: M. Lorenc, +420571754507, michal.lorenc@onsemi.com.

  • Economical parameters

    JEDNOTKOVÁ CENA 60 USD/STANDARDNÍ BGSOI DESKA (PRŮMĚR 150 mm), očekávaný roční objem výroby min. 5 tis. Desek.

  • Application category by cost

  • Owner IČO

    26821532

  • Owner name

    ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, S.R.O.

  • Owner country

    CZ - CZECH REPUBLIC

  • Usage type

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Licence fee requirement

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Web page