Use of wafer temperature determination for the study of unintentional parameter influences for the MOVPE of III-nitrides

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F05%3A00013611" target="_blank" >RIV/60461373:22310/05:00013611 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Use of wafer temperature determination for the study of unintentional parameter influences for the MOVPE of III-nitrides

Original language description

In this paper we will first report on the real-time determination of wafer temperature during growth for transparent substrates. With this method we will then study the unintentional influence of growth parameter variations on the surface temperature. The effect on nitride growth optimization will be discussed.

Czech name

Využití určení teploty substrátu ke studiu náhodných parametrů ovlivňujících MOVPE růst nitridů třetí podskupiny

Czech description

Využití určení teploty substrátu ke studiu náhodných parametrů ovlivňujících MOVPE růst nitridů třetí podskupiny.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

CA - Inorganic chemistry

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA104%2F03%2F0387" target="_blank" >GA104/03/0387: Chemical aspects of thin layer deposition of the AIII-nitrides in relation to electronic applications</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Physica Status Solidi (b)

ISSN

0370-1972

e-ISSN

—

Volume of the periodical

—

Issue of the periodical within the volume

13

Country of publishing house

DE - GERMANY

Number of pages

6

Pages from-to

2581

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—