Substrate temperature changes during molecular beam epitaxy growth of GaMnAs

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F07%3A00093079" target="_blank" >RIV/68378271:_____/07:00093079 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Substrate temperature changes during molecular beam epitaxy growth of GaMnAs
Original language description
increase of the substrate temperature during the low-temperature MBE growth of GaMnAs layers. With the help of numerical simulations we explain the effect as a consequence of changing absorption/emission characteristics of the growing epilayer. We discuss possibilities for reducing the substrate temperature variations during the growth
Czech name
Změny teploty substrátu během růstu GaMnAs technologií molekulární svazkové epitaxe
Czech description
Meření tepoty pomocí spektroskopie zakázaného pásu ukazuje, že pri rustu vrstev GaMnAs pomocí nízkoteplotní MBE dochází k pozoruhodne velkému nárustu teploty substrátu. S použitím numerických simulací tento efekt vysvetlujeme jako důsledek změn v absorpcní a emisní charakteristice rostoucí epitaxní vrstvy. Diskutujeme rovnež možnosti redukce teplotních změn

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)