SiC wafer for MOSFET application (polished)

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F23%3AN0000003" target="_blank" >RIV/26821532:_____/23:N0000003 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
SiC deska pro MOSFET aplikace (leštěná)
Original language description
SiC desky pro MOSFET (leštěná deska): Funkční vzorky jsou přímo spojeny s ověřením výše uvedených technologií Jedná se o širokou skupinu vzorků ve specifikacích pro různá napětí (z pohledu epitaxní vrstvy), které ale reálně představují 2 principiální úrovně funkčních vzorků: Leštěná SiC deska vyrobená s vlastním SiC krystalem a SiC deska vyrobená s externím SiC krystalem.
Czech name
SiC deska pro MOSFET aplikace (leštěná)
Czech description
—

Project
<a href="/en/project/EG20_321%2F0024782" target="_blank" >EG20_321/0024782: Research and Development of Manufacturing Technologies for SiC Crystals and Wafers for Advanced Electronic Applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2023
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
SIC6S006, 52AON19829H
Numerical identification
3313034006
Technical parameters
SiC desky pro MOSFET (leštěná deska): Funkční vzorky jsou přímo spojeny s ověřením výše uvedených technologií Jedná se o širokou skupinu vzorků ve specifikacích pro různá napětí (z pohledu epitaxní vrstvy), které ale reálně představují 2 principiální úrovně funkčních vzorků: Leštěná SiC deska vyrobená s vlastním SiC krystalem a SiC deska vyrobená s externím SiC krystalem. Detailní popis výsledku: skupina specifikaci 150 mm SiC desky pro MOSFET aplikace SIC6S006/52AON######H (řízená dokumentace, která podléhá obchodnímu tajemství).
Economical parameters
Jednotková cena leštěné SiC desky <900USD.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
www.onsemi.com

Similar results(10)