SiC wafer for MOSFET application (epitaxial)
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F23%3AN0000004" target="_blank" >RIV/26821532:_____/23:N0000004 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
SiC deska pro MOSFET aplikace (epitaxní)
Original language description
SiC desky pro MOSFET (epitaxní): Funkční vzorky jsou přímo spojeny s ověřením výše uvedených technologií Jedná se o širokou skupinu vzorků ve specifikacích pro různá napětí (z pohledu epitaxní vrstvy). Deska s epitaxní vrstvou představuje ve srovnání s deskou leštěnou vyšší kvalitativní úroveň.
Czech name
SiC deska pro MOSFET aplikace (epitaxní)
Czech description
—
Classification
Type
G<sub>funk</sub> - Functional sample
CEP classification
—
OECD FORD branch
20201 - Electrical and electronic engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/EG20_321%2F0024782" target="_blank" >EG20_321/0024782: Research and Development of Manufacturing Technologies for SiC Crystals and Wafers for Advanced Electronic Applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2023
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
6SMPE120XAXX-EPI
Numerical identification
3313057
Technical parameters
SiC desky pro MOSFET (epitaxní): Funkční vzorky jsou přímo spojeny s ověřením výše uvedených technologií Jedná se o širokou skupinu vzorků ve specifikacích pro různá napětí (z pohledu epitaxní vrstvy). Deska s epitaxní vrstvou představuje ve srovnání s deskou leštěnou vyšší kvalitativní úroveň. Detailní popis výsledku: skupina specifikaci 150 mm SiC desky pro MOSFET aplikace 6SMPE120XAXX-EPI SiC Epitaxial Wafers (řízená dokumentace, která podléhá obchodnímu tajemství).
Economical parameters
Jednotková výrobní cena SiC desky s epitaxní vrstvou <1300 USD.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
www.onsemi.com