200 mm Silicon Carbide Wafer with Epitaxial Layer
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F24%3AN0000002" target="_blank" >RIV/26821532:_____/24:N0000002 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Deska karbidu křemíku průměru 200 mm s epitaxní vrstvou
Original language description
Deska karbidu křemíku (SiC, krystalový polytyp 4H) průměru 200 mm s epitaxní vrstvou pro MOSFET aplikace (tloušťka 6 - 20 um). Základním předpokladem je vysoká predikovaná výtěžnost a z hlediska "killer" defektů = defekty, které znehodnotí polovodičovou součástku a způsobí dramatický pokles výtěžností na úroveň nezpůsobilého procesu a "non-killer" defektů = defekty, které při nízkých koncentracích měřitelně neovlivňují následné procesy výroby MOSFET.
Czech name
Deska karbidu křemíku průměru 200 mm s epitaxní vrstvou
Czech description
—
Classification
Type
G<sub>funk</sub> - Functional sample
CEP classification
—
OECD FORD branch
20501 - Materials engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/FW06010030" target="_blank" >FW06010030: R&D of Silicon Carbide Semiconductor Structures</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2024
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
FW06010030-V3
Numerical identification
20253313042
Technical parameters
Deska karbidu křemíku (SiC, krystalový polytyp 4H) průměru 200 mm s epitaxní vrstvou pro MOSFET aplikace (tloušťka 6 - 20 um), vysoká predikovaná výtěžnost a z hlediska "killer" defektů = defekty, které znehodnotí polovodičovou součástku a způsobí dramatický pokles výtěžností na úroveň nezpůsobilého procesu a "non-killer" defektů = defekty, které při nízkých koncentracích měřitelně neovlivňují následné procesy výroby MOSFET. Plná specifikace: PROTOTYPE FW06010030-V3; FINAL PRODUCT SPECIFICATION FOR 1200V SIC EPITAXY 8SMPE120XAXX-CZ2-EPI IN CZ2.
Economical parameters
Jednotkové výrobní náklady <1500 USD (leštěná deska průměru 200 mm s epitaxní vrstvou pro MOSFET - výkonové aplikace),
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
www.onsemi.com