RTS noise in submicron MOSFET

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU48700" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU48700 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

RTS noise in submicron MOSFET

Original language description

In the present paper, Im show processing of RTS noise in submicron MOSFET. The measure data from MOSFET tranzistor we process in program Easy Plot. From shape of curve we obtain time t1, t2 and t0. From measure date make programm Easy Plot histogram, RTSnoise spectra density and FFT. This measure and elaborated data help us with be under way near physical process in MOSFET tranzistor.

Czech name

RTS šum v MOSFET struktůře

Czech description

Práce pojednává o výskytu RTS šumu v MOSFET struktůře. Změřená data z MOSFET struktůry jsou zpracována v programu easyplot. Z naměřených charakteristik ziskáme časivé konstanty t1, t2 a t0. Dále je zobrazen histogram, spektrální šumová hustota RTS šumu aFFT transformace. Naměřená a zpracovaná data nám pomohou detailněji objasnit fyzikální jevy probíhajicí v MOSFET struktůře.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2004

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

New trends in physics

ISBN

80-7355024-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

4

Pages from-to

12-15

Publisher name

NEUVEDEN

Place of publication

Brno

Event location

Brno

Event date

Nov 11, 2004

Type of event by nationality

EUR - Evropská akce

UT code for WoS article

—