RTS noise in submicron MOSFETs
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU51329" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU51329 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
RTS noise in submicron MOSFETs
Original language description
In the present paper, Im show processing of RTS noise in submicron MOSFET. The measure data from MOSFET tranzistor we process in program Easy Plot and Matlab and we compare this two method. From shape of curve we obtain time t1, t2 and t0. This measure and elaborated data help us with be under way near physical process in MOSFET tranzistor.
Czech name
RTS šum v MOSFETs struktůře
Czech description
Práce pojednává o výskytu RTS šumu v MOSFET struktůře. Změřená data z MOSFET struktůry jsou zpracována v programu easyplot a matlab. Z naměřených charakteristik ziskáme časivé konstanty t1, t2 a t0 a srovnání obou metod. Naměřená a zpracovaná data nám pomohou detailněji objasnit fyzikální jevy probíhajicí v MOSFET struktůře.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
EDS '05 imaps cs international conference proceedings
ISBN
80-214-2990-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
5
Pages from-to
189-193
Publisher name
NEUVEDEN
Place of publication
Brno
Event location
Brno
Event date
Sep 15, 2005
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—