PB3 Methodology of flatness measurement and surface topography of semiconductor wafer
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000009" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000009 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
PB3 Metodika měření rovinnosti a topografie povrchu polovodičových desek
Original language description
Dosaženým výstupem je soubor poznatků o možnostech, vlastnostech a použitelnosti optických metod měření rovinnosti a topografie povrchu polovodičových desek využívajících interference světla z koherentních zdrojů záření. Komplexní metody měření byly testovány, ověřovány a vyhodnocovány experimentálně na optických sestavách navržených a realizovaných pro měření na polovodičových strukturách. Výsledek je využitelný pro aplikace v polovodičovém průmyslu a pro účely výzkumu a vývoje.
Czech name
PB3 Metodika měření rovinnosti a topografie povrchu polovodičových desek
Czech description
Dosaženým výstupem je soubor poznatků o možnostech, vlastnostech a použitelnosti optických metod měření rovinnosti a topografie povrchu polovodičových desek využívajících interference světla z koherentních zdrojů záření. Komplexní metody měření byly testovány, ověřovány a vyhodnocovány experimentálně na optických sestavách navržených a realizovaných pro měření na polovodičových strukturách. Výsledek je využitelný pro aplikace v polovodičovém průmyslu a pro účely výzkumu a vývoje.
Classification
Type
Z<sub>tech</sub> - Verified technology
CEP classification
—
OECD FORD branch
20201 - Electrical and electronic engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TE01020233" target="_blank" >TE01020233: Advanced Microscopy and Spectroscopy Platform for Research and Development in Nano and Microtechnologies - AMISPEC</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2021
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
TE01020233-V140
Numerical identification
—
Technical parameters
Nová technologie optických měření v ON Semiconductor zahrnovala kvalifikace: ZKZ 18/39: Kvalifikace zařízení Magic Mirror YIS-200SP; a akvizici (poloprovoz) nového zařízení: CPR 02860: Chapman MP2100 Surface Profiler System/ Extended Accuracy Non-Contact Surface Profiler / Edge Fixture for 150mm & 200mm Wafer. Technologie využití optických metod byla doplněna také dalšími kvalifikovanými postupy – měřením: fotoluminiscence (pro GaN), optickými (3D) mikroskopy, optickými profilometry a surfscany (měření kvality povrchu desek rozptylem laserového svazku pro analýzu světlorozptylujících defektů): CAB 19/126: Kvalifikace fotoluminiscenčního měřidla RPMBlue FS pro měření 150mm GaN-on-Si desek; CAB 19/75: Kvalifikace měřícího zařízení Filmetrics F60; CAB 18/94: Akceptace SP1 TBI (CDSP1T02) – 8“ golden tool; CAB 18/93: Akceptace SP1 Classic (CDSP101) – 8“ bridge tool; CAB 18/81: BCLMIL01 Laser Marker InnoLas 01 (Optický mikroskop Keyence VHX6000); ZKZ 18/33: Kvalifikace trimování 8“ desek na zaoblovačce W-GM 4200E (BCGWGM19)- Profilometr; LEP820; ZKZ 17/91: Kvalifikace stereo mikroskopu Lynx (BCLYNX02).
Economical parameters
Investice do "poloprovozu" - setu měřících zařízení >350 tis. $
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—