200 mm Silicon Carbide Polished Wafer

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F24%3AN0000001" target="_blank" >RIV/26821532:_____/24:N0000001 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
Leštěná deska karbidu křemíku průměru 200 mm
Original language description
Leštěná deska karbidu křemíku (SiC); krystalový polytyp 4H; metoda růstu krystalu PVT (Physical Vapor Transport); orientace krystalu (0001); dopant: N, měrný elektrický odpor: 18 - 25 mOhm.cm; průměr 200,00 +/- 0,25 mm; tloušťka 500 +/- 25 um; variabilita tloušťky TTV <10 um; globální rovinnost WARP <200 um, BOW<100 um lokální rovinnost < 2 um (15x15 mm SIFLD); vyloučený okraj < 3mm; žádné narušení okraje (Edge Chips, Dents. Cracks, Pin Holes), kvalita (grade) pro MOSFET aplikace.
Czech name
Leštěná deska karbidu křemíku průměru 200 mm
Czech description
—

Project
<a href="/en/project/FW06010030" target="_blank" >FW06010030: R&D of Silicon Carbide Semiconductor Structures</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2024
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
SIC8S0XX
Numerical identification
20243313034
Technical parameters
Leštěná deska karbidu křemíku (SiC); krystalový polytyp 4H; metoda růstu krystalu PVT (Physical Vapor Transport); orientace krystalu (0001); dopant: N, měrný elektrický odpor: 18 - 25 mOhm.cm; průměr 200,00 +/- 0,25 mm; tloušťka 500 +/- 25 um; variabilita tloušťky TTV <10 um; globální rovinnost WARP <200 um, BOW<100 um lokální rovinnost < 2 um (15x15 mm SIFLD); vyloučený okraj < 3mm; žádné narušení okraje (Edge Chips, Dents. Cracks, Pin Holes), kvalita (grade) pro MOSFET aplikace.
Economical parameters
Výrobní náklady: <3000 USD/deska.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
www.onsemi.com

Similar results(10)