Operating process description for forming solar cell structures with shallow phosphorus emitter with uniformity of layer resistance on all single Si wafer`s surface up to +/- 3 Ohm/square

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F27711170%3A_____%2F13%3A%230000033" target="_blank" >RIV/27711170:_____/13:#0000033 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
Procesní návodka pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek do +/- 3 Ohm/čtverec
Original language description
Byla vyvinuta technologie pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek (až 300 ks s rozměrem 156 x 156 mm) do +/- 3 Ohm/čtverec. Procesní návodka specifikuje detaily přípravy požadovaných struktur solárních článků s mělkým emitorem.
Czech name
Procesní návodka pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek do +/- 3 Ohm/čtverec
Czech description
Byla vyvinuta technologie pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek (až 300 ks s rozměrem 156 x 156 mm) do +/- 3 Ohm/čtverec. Procesní návodka specifikuje detaily přípravy požadovaných struktur solárních článků s mělkým emitorem.

Project
<a href="/en/project/TA01020972" target="_blank" >TA01020972: Modification of the particular technology facilities of the batch processes for the yield enhancement of the highly efficient silicon solar cells using the numerical and physical pre- and post-processing models CFD-ACE+ and Flow Simulation.</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2013
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
SVMP-Sol-01
Regulation ID
A-2013-12-9-SVMP-Sol-01
Technical parameters
Lze dosáhnout homogenity vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek (až 300 ks s rozměrem 156 x 156 mm) do +/- 3 Ohm/čtverec.
Economical parameters
Zvýšení homogenity vrstvového odporu má pozitivní vliv jak na zvýšení účinnosti solárních článků, tak na zvýšení efektivity výroby článků samotných. Vyšší účinnost solárních článků přináší pozitivní ekonomický efekt (vyšší prodejní cena).
Certification body designation
SVCS Process Innovation, Optátova 37, Brno 637 00
Date of certification
—
Method of use
C - Výsledek je využíván bez omezení okruhu uživatelů

Similar results(10)