Operating process description for dry thermal silicon oxide formation with target thickness of 25-30 nm on highly phosphorus doped Si substrates.

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000008" target="_blank" >RIV/27711170:_____/12:#0000008 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Procesní návodka pro vytváření suchého termálního oxidu křemíku na fosforem difundovaných Si deskách s cílem tloušťky SiO2 vrstvy 25 až 30 nm

Original language description

Rychlost růstu termického SiO2 je značně závislá na úrovni dotace Si substrátu a markantně se zvyšuje pro silně dopované povrchy. Křemíkové solární články s vyšší kvalitou povrchové pasivace potřebují vrstvu SiO2, ale její tloušťka musí být právě v rozmezí 25 až 30 nm (kompromis mezi vhodnými elektronickými a optickými vlastnostmi). Procesní návodka specifikuje detaily přípravy tenkých pasivačních SiO2 vrstev vysokoteplotní termickou oxidací (teplotní profil procesu, časovou závoslost průtoků jednotlivých plynů) pro struktury solárních článků s mělkým emitorem.

Czech name

Procesní návodka pro vytváření suchého termálního oxidu křemíku na fosforem difundovaných Si deskách s cílem tloušťky SiO2 vrstvy 25 až 30 nm

Czech description

Rychlost růstu termického SiO2 je značně závislá na úrovni dotace Si substrátu a markantně se zvyšuje pro silně dopované povrchy. Křemíkové solární články s vyšší kvalitou povrchové pasivace potřebují vrstvu SiO2, ale její tloušťka musí být právě v rozmezí 25 až 30 nm (kompromis mezi vhodnými elektronickými a optickými vlastnostmi). Procesní návodka specifikuje detaily přípravy tenkých pasivačních SiO2 vrstev vysokoteplotní termickou oxidací (teplotní profil procesu, časovou závoslost průtoků jednotlivých plynů) pro struktury solárních článků s mělkým emitorem.

Type

N_metC - Methodology certified by the authorised body

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/TA01020972" target="_blank" >TA01020972: Modification of the particular technology facilities of the batch processes for the yield enhancement of the highly efficient silicon solar cells using the numerical and physical pre- and post-processing models CFD-ACE+ and Flow Simulation.</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2012

Confidentiality

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID

SVPNSOP_SOL_01

Regulation ID

A-2012-11-21-SVPNSOP_SOL_01

Technical parameters

Struktura solárních článků s antireflexní a pasivační dvojvrstvou (SiO2+Si3N4) je výhodná pro Si články s mělkým, respektive selektivním emitorem pro snížení povrchových rekombinačních ztrát. Výsledkem jsou tedy články s vyšším generovaným napětím (oproti standardním strukturám až o 15 mV).

Economical parameters

Vyšší účinnost solárních článků přináší pozitivní ekonomický efekt (vyšší prodejní cena). Znalost "know-how" v dané problematice zároveň posiluje kredit výrobce zařízení (SVCS) u svých zákazníků.Metodika může být rovněž použitelná v polovodičovém průmyslu.

Certification body designation

SVCS Process Innovation s.r.o., Na Potůčkách 163, Valašské Meziříčí 757 01

Date of certification

—

Method of use

C - Výsledek je využíván bez omezení okruhu uživatelů