Using of the modern semiconductor devices based on the SiC

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F08%3A00500361" target="_blank" >RIV/49777513:23220/08:00500361 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Using of the modern semiconductor devices based on the SiC

Original language description

This paper deals with possibility of application of the semiconductor devices based on the SiC (Silicon Carbide) in the power electronics. Basic synopsis of SiC based materials problems are presented, appreciation of their properties in comparison with current using power semiconductor devices ((IGBT, MOSFET, CoolFET transistors).

Czech name

Použití moderních polovodičových součástek SiC

Czech description

Tento článek se zabývá možností použití součástek SiC ve výkonové elektronice. Jsou zde prezentovány základní základní problematika jejich použití a srovnání vlastností se současnými výkonovými prvky (IGBT, MOSFET, CoolFET).

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Publication year

2008

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Advances in Electrical and Electronic Engineering

ISSN

1336-1376

e-ISSN

—

Volume of the periodical

7

Issue of the periodical within the volume

1-2

Country of publishing house

SK - SLOVAKIA

Number of pages

4

Pages from-to

—

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—