High-temperature oxidation resistance of Ta-Si-N films with a high Si content

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F06%3A00000454" target="_blank" >RIV/49777513:23520/06:00000454 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/49777513:23520/06:00000087
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
High-temperature oxidation resistance of Ta-Si-N films with a high Si content
Original language description
The high-temperature oxidation resistance of ternary Ta-Si-N films with a high Si content deposited by reactive dc magnetron sputtering on silicon substrates was systematically investigated by means of a symmetrical high-resolution thermogravimetry in aflowing air up to an annealing temperature of 1300°C. Additional analyses including optical microscopy, scanning electron microscopy, X-ray diffraction and the microhardness measurement were carried out as well
Czech name
Vysokoteplotní oxidační odolnost vrstev Ta-Si-N s vysokým obsahem Si
Czech description
Vysokoteplotní oxidační odolnost vrstev Ta-Si-N s vysokým obsahem Si připravených reaktivním magnetronovým naprašováním byla studována pomocí vysokorozlišovací termogravimetrie v proudícím vzduchu do teploty 1300°C. Výsledky ukázaly výbornou oxidační odolnost vrstev až do 1300°C. Neptrná oxiadce je spojena s vytvořením tenké povrchové vrstvy bránící další oxidaci objemu vrstvy.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BL - Plasma physics and discharge through gases
OECD FORD branch
—

Project
<a href="/en/project/GP106%2F03%2FD009" target="_blank" >GP106/03/D009: Reactive deposition and characterization of thin films based on novel compounds</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)