XRD in-situ study of crystallization of magnetron-deposited TiO2 thin films

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F08%3A00500791" target="_blank" >RIV/49777513:23520/08:00500791 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
XRD in-situ study of crystallization of magnetron-deposited TiO2 thin films
Original language description
Crystallization of amorphous titanium dioxide films with different thickness (50-100 nm) deposited on silicon substrates was investigated by in-situ isochronal and isothermal annealing inhigh-temperature chamber in the X-ray diffractometer. It was foundthat the crystallization depends strongly on the film thickness, especially below about 500 nm and it is slow for very thinfilms. The process can be well described by the Avrami equation modified by the initial time of crystallization. All the parametersof the equation vary with thin thickness.
Czech name
XRD in-situ studie krystalizace magnetronově nanášených tenkých vrstev TiO2
Czech description
Krystalizace amorfních vrstev TiO2 o různých tloušťkách deponovaných na křemíkové substráty byla zkoumána pomocí in-situ izochronního a izotermického žíhání ve vysokoteplotní komoře v rtg difraktometru. Bylo zjištěno, že krystalizace silně závisí na tloušťce vrstvy, obzvláště pro tloušťky pod 500nm, kde krystalizace je velmi pomalá pro velmi tenké vrstvy. Proces může být velmi dobře popsán Avramiho rovnicí modifikovanou počátečním časem krystalizace. Všechny parametry rovnice se mění s tloušťkou vrstvy.

Project
<a href="/en/project/GA106%2F06%2F0327" target="_blank" >GA106/06/0327: Crystallization of amorphous and nanocrystalline thin films</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)