All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Ozone oxidation methods for aluminum oxide formation: Application to low-voltage organic transistors

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F15%3A43925354" target="_blank" >RIV/49777513:23640/15:43925354 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2015.03.007" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2015.03.007</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2015.03.007" target="_blank" >10.1016/j.orgel.2015.03.007</a>

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Ozone oxidation methods for aluminum oxide formation: Application to low-voltage organic transistors

  • Original language description

    oxidu hlinitého pro tenkovrstvé organické tranzistory. Jsou to UV/ozonová oxidace v prostředí (UV-AA) a suchého (UV-DA) vzduchu, UV/ozonová oxidace kombinovaná s vysoko napěťovým výbojem generovaného ozonu v suchém vzduchu (UV+O3-DA) a výbojem generovanýozon v suchém vzduchu (O3-DA). Nedostatek vysoko energetických UV fotonů během O3-DA oxidace vede k nízké relativní permitivitě a k vysoké hustotě svodového proudu AlOx vrstvy což se ukázalo jako nevhodné pro dielektrickou vrstvu tranzistoru. Ačkoliv tato oxidace vedla k zabudování kyslíku do vrstvy, FTIR analýza potvrdila vysokou koncentraci sub-povrchového kyslíku, zatím co XPS dala nejvyšší podíl neoxidovaného hliníku ze všech čtyř metod. Zbylé tři oxidační metody produkovaly AlOx vrstvy o tloušťcedosahující 7 nm (2 hodiny oxidačního času), relativní permitivitu mezi 6.61 a 7,25, svodovou proudovou hustotu (1-7)x10-7 A/cm2 při MV/cm a byly úspěšně implementovány do tenkovrstvých organických tranzistorů založených na DNTT. Všechny o

  • Czech name

  • Czech description

Classification

  • Type

    J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

  • CEP classification

    BM - Solid-state physics and magnetism

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2015

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Name of the periodical

    Organic Electronics

  • ISSN

    1566-1199

  • e-ISSN

  • Volume of the periodical

    21

  • Issue of the periodical within the volume

    červen 2015

  • Country of publishing house

    NL - THE KINGDOM OF THE NETHERLANDS

  • Number of pages

    6

  • Pages from-to

    132-137

  • UT code for WoS article

    000352499100018

  • EID of the result in the Scopus database