Ozone oxidation methods for aluminum oxide formation: Application to low-voltage organic transistors
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F15%3A43925354" target="_blank" >RIV/49777513:23640/15:43925354 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2015.03.007" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2015.03.007</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2015.03.007" target="_blank" >10.1016/j.orgel.2015.03.007</a>
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Ozone oxidation methods for aluminum oxide formation: Application to low-voltage organic transistors
Original language description
oxidu hlinitého pro tenkovrstvé organické tranzistory. Jsou to UV/ozonová oxidace v prostředí (UV-AA) a suchého (UV-DA) vzduchu, UV/ozonová oxidace kombinovaná s vysoko napěťovým výbojem generovaného ozonu v suchém vzduchu (UV+O3-DA) a výbojem generovanýozon v suchém vzduchu (O3-DA). Nedostatek vysoko energetických UV fotonů během O3-DA oxidace vede k nízké relativní permitivitě a k vysoké hustotě svodového proudu AlOx vrstvy což se ukázalo jako nevhodné pro dielektrickou vrstvu tranzistoru. Ačkoliv tato oxidace vedla k zabudování kyslíku do vrstvy, FTIR analýza potvrdila vysokou koncentraci sub-povrchového kyslíku, zatím co XPS dala nejvyšší podíl neoxidovaného hliníku ze všech čtyř metod. Zbylé tři oxidační metody produkovaly AlOx vrstvy o tloušťcedosahující 7 nm (2 hodiny oxidačního času), relativní permitivitu mezi 6.61 a 7,25, svodovou proudovou hustotu (1-7)x10-7 A/cm2 při MV/cm a byly úspěšně implementovány do tenkovrstvých organických tranzistorů založených na DNTT. Všechny o
Czech name
—
Czech description
—
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2015
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Organic Electronics
ISSN
1566-1199
e-ISSN
—
Volume of the periodical
21
Issue of the periodical within the volume
červen 2015
Country of publishing house
NL - THE KINGDOM OF THE NETHERLANDS
Number of pages
6
Pages from-to
132-137
UT code for WoS article
000352499100018
EID of the result in the Scopus database
—