TECHNOLOGY OF TANDEM SOLAR CELL BASED ON SILICON THIN FILMS

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F19%3A43957404" target="_blank" >RIV/49777513:23640/19:43957404 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Technologie přípravy tandemového solárního článku na bázi křemíku

Original language description

V této práci je představena technologie přípravy tandemového solárního článku a-Si:H/µc-Si:H. Tenčí absorbér z amorfního křemíku (a-Si:H) používaný jako horní článek a tlustší absorbér z mikrokrystalického křemíku (μc-Si:H) používaný jako dolní článek umožňují vyšší fotovoltaickou účinnost přeměny, účinnější spektrální přizpůsobení. Jednotlivé vrstvy tandemového a-Si:H/µc-Si:H solárního článku byly kontinuálně deponovány technologií přípravy tenkých vrstev PECVD („Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition“) v konvenčním klastrovém multikomorovém depozičním systému s rf zdrojem (13,56 MHz) a zdrojovými prekurzorovými plyny při teplotě substrátu kolem 200°C. Tandemový článek byl vytvořen ve superstrátové konfiguraci, kdy základ článku tvoří nosné sklo s vodivou transparentní vrstvou, na kterou je nanesena polovodičová struktura článku. Struktura a morfologie připravených jednotlivých vrstev před vlastním použitím v tandemovém článku byly zkoumány elektronovou mikroskopií, XRD, Ramanovou spektroskopií (krystalinita), UV-Vis spektroskopií (transparentnost a optický pás) a FTIR spektroskopií (vodíková konfigurace ve vrstvách). Solární článek byl testován za standardních testovacích podmínek (1000 W/m2, 25 °C, spektrální distribuce AM1,5G). Elektrické parametry solárního článku byly zkoumány solárním simulátorem a přístrojem na měření kvantové výtěžnosti. Z naměřené VAcharakteristiky a měřením EQE vytvořeného tandemového článku byly získány klíčové parametry. Článek vykazoval účinnost přes 11%, napětí naprázdno (Voc) 1,3 V, proud nakrátko (Jsc) dosahoval hodnoty 12 mA/cm2 a FF (fill factor) 71%.

Czech name

Technologie přípravy tandemového solárního článku na bázi křemíku

Czech description

V této práci je představena technologie přípravy tandemového solárního článku a-Si:H/µc-Si:H. Tenčí absorbér z amorfního křemíku (a-Si:H) používaný jako horní článek a tlustší absorbér z mikrokrystalického křemíku (μc-Si:H) používaný jako dolní článek umožňují vyšší fotovoltaickou účinnost přeměny, účinnější spektrální přizpůsobení. Jednotlivé vrstvy tandemového a-Si:H/µc-Si:H solárního článku byly kontinuálně deponovány technologií přípravy tenkých vrstev PECVD („Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition“) v konvenčním klastrovém multikomorovém depozičním systému s rf zdrojem (13,56 MHz) a zdrojovými prekurzorovými plyny při teplotě substrátu kolem 200°C. Tandemový článek byl vytvořen ve superstrátové konfiguraci, kdy základ článku tvoří nosné sklo s vodivou transparentní vrstvou, na kterou je nanesena polovodičová struktura článku. Struktura a morfologie připravených jednotlivých vrstev před vlastním použitím v tandemovém článku byly zkoumány elektronovou mikroskopií, XRD, Ramanovou spektroskopií (krystalinita), UV-Vis spektroskopií (transparentnost a optický pás) a FTIR spektroskopií (vodíková konfigurace ve vrstvách). Solární článek byl testován za standardních testovacích podmínek (1000 W/m2, 25 °C, spektrální distribuce AM1,5G). Elektrické parametry solárního článku byly zkoumány solárním simulátorem a přístrojem na měření kvantové výtěžnosti. Z naměřené VAcharakteristiky a měřením EQE vytvořeného tandemového článku byly získány klíčové parametry. Článek vykazoval účinnost přes 11%, napětí naprázdno (Voc) 1,3 V, proud nakrátko (Jsc) dosahoval hodnoty 12 mA/cm2 a FF (fill factor) 71%.

Type

Z_tech - Verified technology

CEP classification

—

OECD FORD branch

20201 - Electrical and electronic engineering

Project

<a href="/en/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centre of the New Technologies and Materials</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2019

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Internal product ID

NTC-OTE-19-005

Numerical identification

NTC-OTE-19-005

Technical parameters

Byla vyvinuta technologie pro vytvoření solárního článku, který byl testován za standardních testovacích podmínek (1000 W/m2, 25 °C, spektrální distribuce AM1,5G). Elektrické parametry solárního článku byly zkoumány solárním simulátorem a přístrojem na měření kvantové výtěžnosti. Z naměřené VA-charakteristiky a měřením EQE vytvořeného tandemového článku byly získány klíčové parametry. Článek vykazoval účinnost přes 11%, napětí naprázdno (Voc) 1,3 V, proud nakrátko (Jsc) dosahoval hodnoty 12 mA/cm2 a FF (fill factor) 71%. David Lávička, Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), Nové technologie - výzkumné centrum, Univerzitní 8, 306 14 Plzeň, 377634712, dlavicka@ntc.zcu.cz. Viz odkaz http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/ot/NTC-OTE-19-005.html

Economical parameters

Vyvinutý tandemový solární článek má vyšší fotovoltaickou účinnost přeměny a tím zlepšuje jeho ekonomické parametry. Výsledek je využíván příjemcem Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), ekonomické parametry se neuvádí.

Application category by cost

—

Owner IČO

49777513

Owner name

Západočeská univerzita v Plzni

Owner country

CZ - CZECH REPUBLIC

Usage type

P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence

Licence fee requirement

Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek

Web page

—