Properties of Erbium-Doped Gallium Nitride Films Prepared by RF Magnetron Sputtering
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F04%3A00011658" target="_blank" >RIV/60461373:22310/04:00011658 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/68407700:21230/04:03102019
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Properties of Erbium-Doped Gallium Nitride Films Prepared by RF Magnetron Sputtering
Original language description
Properties of Erbium-Doped Gallium Nitride Films Prepared by RF Magnetron Sputtering
Czech name
Vlastnosti erbiem dopovaných vrste GaN připravených magnetronovým naprašováním
Czech description
Vlastnosti erbiem dopovaných vrste GaN připravených magnetronovým naprašováním
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GA104%2F03%2F0385" target="_blank" >GA104/03/0385: New technology of optical thin layers based on carbon and organic materials for active structure of integrated optics</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Sborník Microwave and Optical Technology 2004
ISBN
0-8194-5368-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
294-297
Publisher name
SPIE- The International Society for Optical Engineering
Place of publication
Bellingham
Event location
Ostrava
Event date
Sep 21, 2004
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—