Filters
Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2018 •
- O
Rok uplatnění
O - Ostatní výsledky
Výzkum šířky zakázaného pásu GaN vrstev dotovaných Dy
Výzkum šířky zakázaného pásu GaN vrstev dotovaných Dy...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2008 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2019 •
- Jimp •
- Link
Rok uplatnění
Jimp - Článek v periodiku v databázi Web of Science
Výsledek na webu
Influence of diamond CVD growth conditions and interlayer material on diamond/GaN interface
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2015 •
- D •
- Link
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Výsledek na webu
Magnetronové naprašování erbiem dotovaných tenkých vrstev GaN
Magnetronové naprašování erbiem dotovaných tenkých vrstev GaN...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2004 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Vlastnosti erbiem dopovaných vrste GaN připravených magnetronovým naprašováním
Vlastnosti erbiem dopovaných vrste GaN připravených magnetronovým naprašováním...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2004 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Efficiency optimization of totem pole PFC with Gallium Nitride semiconductors
Electrical and electronic engineering
- 2021 •
- Jimp •
- Link
Rok uplatnění
Jimp - Článek v periodiku v databázi Web of Science
Výsledek na webu
Elektronová pohyblivost, koncentrace nosičů náboje a šumový parametr n-GaN - numerická analýza kvantového transportu
Electron mobility, charge carrier concentration, resistivity and Hooge noise parameter of epitaxial n-GaN layer was analysed in terms of several scattering mechanisms and Handel quantum theory of noise. Numerical model in temperatur...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2002 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Ramanova spektra erbiem dotovaných GaN vrstev připravených magnetronovým naprašováním
Ramanova spektra vrstev nitridu gallitého obsahujících erbium připravených magnetronovým naprašováním...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2004 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Měření optických ztrát u GaN vrstev
Měření optických ztrát u GaN vrstev...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2005 •
- O
Rok uplatnění
O - Ostatní výsledky
- 1 - 10 out of 4 267