Raman spectra of erbium doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F04%3A00011664" target="_blank" >RIV/60461373:22310/04:00011664 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/68407700:21230/04:03101682
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Raman spectra of erbium doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering
Original language description
Raman spectra of erbium doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering
Czech name
Ramanova spektra erbiem dotovaných GaN vrstev připravených magnetronovým naprašováním
Czech description
Ramanova spektra vrstev nitridu gallitého obsahujících erbium připravených magnetronovým naprašováním

Project
<a href="/en/project/GA104%2F03%2F0385" target="_blank" >GA104/03/0385: New technology of optical thin layers based on carbon and organic materials for active structure of integrated optics</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Sborník 3rd European microelectronics and packaging symposium with top exibition
ISBN
80-239-2835-x
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
6
Pages from-to
577-582
Publisher name
IMAPS CZ&SK
Place of publication
Praha
Event location
Praha
Event date
Jun 16, 2004
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—

Result description