Thermodynamic aspects of GaN:Cr epitaxial layers growth by MOVPE

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F07%3A00018239" target="_blank" >RIV/60461373:22310/07:00018239 - isvavai.cz</a>

Alternative codes found

RIV/60461373:22310/07:00018272

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Termodynamické aspekty přípravy epitaxních vrstev GaN:Cr metodou MOVPE

Original language description

Na základě podrobné termodynamické analýzy systému Ga-Cr-N-C-H byly stanoveny vhodné podmínky pro depozici epitaxních vrstev GaN:Cr metodou MOVPE. Výpočty byly provedeny pro obor teplot 800-1100 °C při tlaku 10 a 100 kPa pro různá počáteční složení plynné fáze. V rovnováze s plynnou fází byly uvažovány pevný (bcc) a kapalný roztok Cr-Ga, nitrid (Ga,Cr)N a 12 čistých pevných látek. Byly stanoveny takové počáteční podmínky - teplota, tlak a počáteční složení plynné fáze - za kterých je pevný (Ga,Cr)N jedinou termodynamicky stabilní kondenzovanou fází a obsah rozpuštěného chrómu lze snadno řídit výchozí koncentrací prekurzorů Cr v plynné fázi.

Czech name

Termodynamické aspekty přípravy epitaxních vrstev GaN:Cr metodou MOVPE

Czech description

Na základě podrobné termodynamické analýzy systému Ga-Cr-N-C-H byly stanoveny vhodné podmínky pro depozici epitaxních vrstev GaN:Cr metodou MOVPE. Výpočty byly provedeny pro obor teplot 800-1100 °C při tlaku 10 a 100 kPa pro různá počáteční složení plynné fáze. V rovnováze s plynnou fází byly uvažovány pevný (bcc) a kapalný roztok Cr-Ga, nitrid (Ga,Cr)N a 12 čistých pevných látek. Byly stanoveny takové počáteční podmínky - teplota, tlak a počáteční složení plynné fáze - za kterých je pevný (Ga,Cr)N jedinou termodynamicky stabilní kondenzovanou fází a obsah rozpuštěného chrómu lze snadno řídit výchozí koncentrací prekurzorů Cr v plynné fázi.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

BJ - Thermodynamics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA104%2F06%2F0642" target="_blank" >GA104/06/0642: Thin Films of Magnetically Doped A(iii)N Semiconductors for Spin Electronics Applications</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Sborník příspěvků VI. ročníku konference Vrstvy a povlaky 2007

ISBN

978-80-969310-4-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

6

Pages from-to

79-84

Publisher name

Digital Graphic

Place of publication

Trenčín

Event location

—

Event date

—

Type of event by nationality

—

UT code for WoS article

—