Doped cadmium sulfide particles in polymer matrix: X-ray diffraction, optical reflectivity and photoconductivity study

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F08%3A00309664" target="_blank" >RIV/61388955:_____/08:00309664 - isvavai.cz</a>

Alternative codes found

RIV/61389013:_____/08:00309664

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Doped cadmium sulfide particles in polymer matrix: X-ray diffraction, optical reflectivity and photoconductivity study

Original language description

Photosensitive powders of cadmium sulphide doped with donors (Cl-, from 0 to 41 mg/g CdS) and acceptors (Cu2+ and Ag+, from 0 to 9 mg/g CdS) were characterized by granulometry, scanning electron microscopy, X-ray diffraction and optical reflectivity spectra. Incorporation of chloride ions caused the increase of band gap energy from 2.27 to 2.38 eV. Polystyrene, poly(methyl methacrylate), poly(N-vinylcarbazole), poly(bisphenol A carbonate) and epoxy resin were used as binders in pastes containing powders. Layers prepared from the pastes were characterized by reflectivity spectra and photonductivity. The layers composed of powders with low doping levels and binders containing bisphenol A group in the chain exhibited the highest photoconductivity.

Czech name

Částice dopovaného sulfidu kademnatého v polymerním pojivu: studium rentgenové difrakce, optické odrazivosti a fotovodivosti

Czech description

Fotocitlivé prášky sulfidu kademnatého dopovaného donory (Cl-, 0 ? 41 mg/g CdS) a akceptory (Cu2+ a Ag+, 0 ? 9 mg/g CdS) byly charakterizovány granulometrií, rastrovacím elektronovým mikroskopem, rentgenovou difrakcí a spektry optické odrazivosti. Zabudování chloridových iontů způsobilo zvýšení energie zakázaného pásu z 2,27 na 2,38 eV. Z prášků byly připraveny pasty, přičemž jako pojivo byly použity polystyren, polymethylmetakrylát, poly(N-vinylkarbazol), poly(bisfenol A karbonát) a epoxidová pryskyřice. Vrstvy připravené z past byly charakterizovány pomocí spekter optické odrazivosti a fotovodivosti. Nejvyšší fotovodivost byla nalezena u vrstev tvořených prášky s nízkými koncentracemi dopantů a pojivy obsahujícími skupinu bisfenolu A.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

CF - Physical chemistry and theoretical chemistry

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/FT-TA2%2F018" target="_blank" >FT-TA2/018: High- tech energy beams technologies for deposition and treatment of films for electronics production.</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2008

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

ISSN

1454-4164

e-ISSN

—

Volume of the periodical

10

Issue of the periodical within the volume

3

Country of publishing house

RO - ROMANIA

Number of pages

8

Pages from-to

—

UT code for WoS article

000254588800009

EID of the result in the Scopus database

—