High-slope photoconductive cells based on screen-printed and sintered cadmium sulfide; the long-term stability properties

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F07%3A00084694" target="_blank" >RIV/61389013:_____/07:00084694 - isvavai.cz</a>

Alternative codes found

RIV/61388955:_____/07:00084694

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

High-slope photoconductive cells based on screen-printed and sintered cadmium sulfide; the long-term stability properties

Original language description

Photoconductive cells based on doped sintered cadmium sulfide were prepared by screen-printing. As a paste binder was used propylene glycol or glycerol sometimes thickened by poly(vinyl alcohol). Chlorides were used as fluxing agent and donor. Acceptors,2-3 mg Cu or a mixture of 0.15 mg Ag. 0.75 mg Cu and 2.9 mg Mn per g CdS, made it possible to prepare photoconductive cells with the slope (resistance vs. illumination) higher than 1.5. The long-term stability of cell parameters was unfavourably influenced by a higher content of chlorides and by the content of liquid paste components. The latter can be lowered by recrystallization of starting CdS powder. Also the delay time between drying and annealing of the printed layer can affect the long-term stability of resistance and slope of cells.

Czech name

Fotorezistory s vysokou strmostí připravené sintrací sulfidu kademnatého naneseného sítotiskem; dlouhodobá stabilita vlastností

Czech description

Fotorezistory na bázi sulfidu kademnatého byly připraveny pomocí sítotisku. Jako pojivo pasty byly použity propylenglykol nebo glycerin, které byly v některých případech zahuštěny polyvinylalkoholem. Chloridy byly použity jako tavidlo a zdroj donorů. Akceptory použité v množstvích 2 ? 3 mg Cu nebo ve směsi 0,15 mg Ag, 0,75 mg Cu a 2,9 mg Mn na g CdS, umožnily přípravu fotorezistorů se strmostí (závislost odporu na osvětlení) vyšší než 1,5. Dlouhodobá stabilita parametrů fotorezistorů byla nepříznivě ovlivněna vyšším obsahem chloridů a kapalných složek past. Obsah kapalných podílů lze snížit rekrystalizací výchozího prášku CdS. Dlouhodobou stabilitu odporu a strmosti fotorezistoru ovlivňuje také doba prodlevy mezi sušením a žíháním vrstvy.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

CF - Physical chemistry and theoretical chemistry

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

ISSN

1454-4164

e-ISSN

—

Volume of the periodical

9

Issue of the periodical within the volume

7

Country of publishing house

RO - ROMANIA

Number of pages

6

Pages from-to

2205-2210

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—