Photoconductive cells from screen-printed and sintered cadmium sulfoselenide

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F08%3A00310707" target="_blank" >RIV/61388955:_____/08:00310707 - isvavai.cz</a>

Alternative codes found

RIV/61389013:_____/08:00310707

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Photoconductive cells from screen-printed and sintered cadmium sulfoselenide

Original language description

Purpose - Screen-printing is an appropriate technique for the manufacture of large-area position-sensitive detectors. We present simple methods of paste preparation and appropriate processing of thick films. Methodology - Active layers of photoconductivecells based on doped CdS0.32Se0.68 were prepared by screen-printing and sintering at 530 oC. A sulfide - selenide mixture or a mixed crystal material and propylene glycol was deposited as a paste. Propylene glycol served as the temporary paste binder. Cadmium chloride was used as a fluxing agent and a donor source. Copper(II) chloride was used as an acceptor source. The effect of the paste composition and sintering time on the resistance and slope of the resistance vs. illumination dependence of cellswas investigated. These parameters were checked again after 8 years of cell storage.

Czech name

Fotorezistory ze sulfoselenidu kademnatého nanášeného sítotiskem a následně sintrovaného

Czech description

Cíl: Sítotisk představuje vhodný způsob výroby velkoplošných senzorů detekujících polohu svazku dopadajícího světla. Cílem práce je představit jednoduchou metodu přípravy pasty a vhodný postup zpracování vrstvy. Postup: Aktivní vrstvy fotorezistorů tvořené dopovaným CdS0,32Se0,68 byly naneseny sítotiskem a následně sintrovány při 530 °C. Základem pasty byla směs sulfidu a selenidu nebo nebo materiál, který byl tuhým roztokem obou. Jako dočasné pojivo pasty byl použit propylenglykol (PG). Chlorid kademnatý byl použit jako tavidlo a zdroj donorů. Jako zdroj akceptorů byl přidán chlorid měďnatý. U vyrobených fotorezistorů byl sledován vliv složení pasty a doby sintrace na odpor a strmost závislosti odporu na osvětlení. Tyto parametry byly znovu přeměřenypo osmi letech skladování vzorků. Závěry Vlastnosti fotorezistorů jsou významně ovlivněny prodlevami mezi tiskem, sušením a sintrací vrstvy.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

CF - Physical chemistry and theoretical chemistry

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2008

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Microelectronics International

ISSN

1356-5362

e-ISSN

—

Volume of the periodical

25

Issue of the periodical within the volume

3

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

6

Pages from-to

—

UT code for WoS article

000259379800007

EID of the result in the Scopus database

—