Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F04%3A00105579" target="_blank" >RIV/61389005:_____/04:00105579 - isvavai.cz</a>

Alternative codes found

RIV/60461373:22340/04:00011295

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium

Original language description

GaN is a wide direct band-gap (E-g similar to 3.4 eV) semiconductor which is attractive for optical devices. Trivalent erbium (Er3+) is an efficient luminescent centre with an atom-like emission at 1540 nm. Typical GaN thin films are fabricated by chemical gas-phase deposition or by epitaxy. Our GaN films were deposited by RF magnetron sputtering using gallium targets and a 3:7 nitrogen-argon mixture. The thickness of the deposited samples was typically 1-2 mum. For Er doping, pellets of metallic Er were put on top of the Ga target. The goal of erbium doping is to reach a concentration sufficient for optical activity. The composition of prepared layers was checked by nuclear analytical methods. The GaN stoichiometry, O admixture and Er dopant up to depths of 600 nm was checked by RBS using 2.4 MeV protons and 2.2 MeV alpha particles. The H impurity was checked by ERDA with 2.7 MeV alpha particles. The structure of fabricated GaN films was checked by x-ray diffraction, Raman spectros...

Czech name

Vlastnosti RF magnetronově naprášených galium-nitridových polovodičů

Czech description

GaN je širokopásmový (E-g 3,4 eV) polovodič, který je vhodný pro optická zařízení. Trojmocné erbium (Er3+) je účinným luminiscenčním centrem s emisí podobnou atomové při 1540 nm. Typická příprava tenkých GaN vrstev je prováděna chemickou depozicí z plynné fáze nebo epitaxním růstem. Neše vrstvy jsou nanášeny rf magnetronovým naprašováním z galiového terčíku ve směsi argonu a dusíku 7 : 3. Typická tlouštka vrstev je 1 - 2 mikrometru. Pro dopováni erbiem jsou na povrch Ga terčíku umístěny tablety kovovéhoerbia. Účelem je dosáhnout dostatečné koncentrace vhodné pro optickou aktivitu. Složení připravených vrstev je měřeno nukleárními analytickými metodami. Stechiometrie GaN, příměs kyslíku a hloubkový profil erbia do hloubky 600 nm byl sledován pomocí RBSs 2.4 Mev protony a 2.2 MeV alfa částicemi. Příměs vodíku byla sledována metodou ERDA s 2.7 MeV alfa částicemi. Struktura připravených GaN vrstev byla zjišťována pomocí rentgenovské difrakce, Ramanovské spe...

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BG - Nuclear, atomic and molecular physics, accelerators

OECD FORD branch

—

Project

Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2004

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Surface and Interface Analysis

ISSN

0142-2421

e-ISSN

—

Volume of the periodical

36

Issue of the periodical within the volume

8

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

3

Pages from-to

952-954

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—