Structural defects in Cu-doped Bi2Te3 single crystals

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F07%3A00099092" target="_blank" >RIV/61389013:_____/07:00099092 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/61388980:_____/07:00099092
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Structural defects in Cu-doped Bi2Te3 single crystals
Original language description
The relation between the concentration of free charge carriers and the concentration of copper atoms in Bi2Te3 single crystals doped with copper over a wide range of concentrations has been investigated, with the aim of clarifying the existence of inactive Cu ions. Changes in the concentration of free charge carriers arising from Cu-doping of the melt with that induced by electrochemical intercalation of copper are compared. Models of possible defect structures are proposed for both doped and intercalated single crystals of Bi2Te3.
Czech name
Strukturné defekty v Bi2Te3 monokrystalech dopovaných mědí
Czech description
Vztahy mezi koncentracemi volných nositelů nábojů a koncentracemi mědi v monokrystalech Bi2Te3 dopovaných mědí byly studovány s cílem objasnit existence neaktivních atomů mědi. Byl vytvořen model defektní struktury jak pro krystal dopovaný mědí, tak krystal interkalovaný.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
CA - Inorganic chemistry
OECD FORD branch
—

Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)