Rewritable resistive electronic memory device
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F19%3A00500870" target="_blank" >RIV/61389013:_____/19:00500870 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/28778758:_____/19:N0000002
Result on the web
<a href="https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0032/uv032526.pdf" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0032/uv032526.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Přepisovatelný elektronický rezistivní paměťový element
Original language description
Byl vyvinut přepisovatelný elektronický rezistivní paměťový element sestávající z vícevrstevné struktury zahrnující spodní elektrodu z elektricky vodivého materiálu uspořádanou na nosném substrátu, na které je nanesena aktivní vrstva z polymerního materiálu a vrchní kovová elektroda Spodní elektroda je tvořena vrstvou cínem dopovaného oxidu india neboli ITO, která je nanesena na nosný substrát ve formě nosné rigidní či flexibilní podložky pro injektování kladně nabitých elektronových děr, tudíž s velkou výstupní prací. Aktivní vrstva obsahuje směs organických polovodičů na bázi diketo-pyrrolo -pyrrolu pro transport kladných elektronových děr a na bázi perylénu pro transport elektronů a svrchní elektroda je tvořena vrstvou hliníku nebo jiného kovu s nízkou výstupní prací pro injektování elektronů. Rezistivní paměťový element podle tohoto technického řešení lze též uspořádat jako vícevrstvou strukturu s vrstvou polymerního dielektrika obsahujícího skupiny s velkým permanentním dipólem a kovové nanočástice zlata nebo stříbra, vložené do rozdělené aktivní vrstvy. Toto řešení je výhodnější z hlediska kvality paměťového efektu, zejména rozdílu elektrického odporu ve stavu logická “1” a “0”, persistence logického stavu a reprodukovatelnosti při cyklování mezi stavy logická “1” a “0”. Aktivní vrstvu je možno připravit pomocí standardních nánosovacích technik – slot die, dip coating, spin coating, nebo tiskových technik jako je sítotisk, flexotisk, ink jet apod. Podstata paměťového efektu u tohoto řešení paměťového elementu třívrstvé struktury spočívá v ovlivnění transportu volného náboje, a tím elektrického odporu rezistivního paměťového prvku prostorovým nábojem vytvořeným při určité hodnotě přiloženého elektrického napětí přenosem náboje mezi polymerem s nízkým ionizačním potenciálem a nízkomolekulární složkou s vysokou hodnotou elektronové afinity.
Czech name
Přepisovatelný elektronický rezistivní paměťový element
Czech description
Byl vyvinut přepisovatelný elektronický rezistivní paměťový element sestávající z vícevrstevné struktury zahrnující spodní elektrodu z elektricky vodivého materiálu uspořádanou na nosném substrátu, na které je nanesena aktivní vrstva z polymerního materiálu a vrchní kovová elektroda Spodní elektroda je tvořena vrstvou cínem dopovaného oxidu india neboli ITO, která je nanesena na nosný substrát ve formě nosné rigidní či flexibilní podložky pro injektování kladně nabitých elektronových děr, tudíž s velkou výstupní prací. Aktivní vrstva obsahuje směs organických polovodičů na bázi diketo-pyrrolo -pyrrolu pro transport kladných elektronových děr a na bázi perylénu pro transport elektronů a svrchní elektroda je tvořena vrstvou hliníku nebo jiného kovu s nízkou výstupní prací pro injektování elektronů. Rezistivní paměťový element podle tohoto technického řešení lze též uspořádat jako vícevrstvou strukturu s vrstvou polymerního dielektrika obsahujícího skupiny s velkým permanentním dipólem a kovové nanočástice zlata nebo stříbra, vložené do rozdělené aktivní vrstvy. Toto řešení je výhodnější z hlediska kvality paměťového efektu, zejména rozdílu elektrického odporu ve stavu logická “1” a “0”, persistence logického stavu a reprodukovatelnosti při cyklování mezi stavy logická “1” a “0”. Aktivní vrstvu je možno připravit pomocí standardních nánosovacích technik – slot die, dip coating, spin coating, nebo tiskových technik jako je sítotisk, flexotisk, ink jet apod. Podstata paměťového efektu u tohoto řešení paměťového elementu třívrstvé struktury spočívá v ovlivnění transportu volného náboje, a tím elektrického odporu rezistivního paměťového prvku prostorovým nábojem vytvořeným při určité hodnotě přiloženého elektrického napětí přenosem náboje mezi polymerem s nízkým ionizačním potenciálem a nízkomolekulární složkou s vysokou hodnotou elektronové afinity.
Classification
Type
F<sub>uzit</sub> - Utility model
CEP classification
—
OECD FORD branch
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Result continuities
Project
—
Continuities
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Others
Publication year
2019
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Patent/design ID
32526
Publisher
CZ001 -
Publisher name
Industrial Property Office
Place of publication
Prague
Publication country
CZ - CZECH REPUBLIC
Date of acceptance
—
Owner name
Ústav makromolekulární chemie AV ČR, v. v. i. - Centrum organické chemie s. r. o.
Method of use
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence