Temperature Rise of Power Semiconductor Devices

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985866%3A_____%2F05%3A00021009" target="_blank" >RIV/67985866:_____/05:00021009 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/68407700:21230/05:00115760
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Temperature Rise of Power Semiconductor Devices
Original language description
Modern power semiconductors (such as IGCT thyristors) represent elements for switching high currents of the orderof kA at the voltage level of several kV. The limiting quantity of ther operation is, therefore, the temperature rise. The paper represents an introductory study in the domain. Calculated is temperature rise of an axisymmetric device curing its operation in various regimes. Distribution of the internal sources of heat (specific Joule Losses) was found from experiments.
Czech name
Oteplení výkonových polovodičových součástek
Czech description
Moderní polovodičové součástky (jako např. tyristory IGCT) představují prvky pro spínání velkých proudů řádu kA a napětí několika kV. Limitní veličinou jejich činnosti je jejich oteplení. Příspěvek představuje úvodní studii v oblasti. Určuje se otepleníosově symetrické součástky během jejího provozu v různých režimech. Rozložení vnitřních zdrojů tepla bylo zjištěno experimentálně.

Project
<a href="/en/project/GA102%2F03%2F1363" target="_blank" >GA102/03/1363: Modernization of electric drives through the use of converters employing IGCTs, improvement of electromagnetic ecology of electric vehicles</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)