Some properties of very thin Bi2Te3 layers prepared by laser ablation
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F03%3A00105870" target="_blank" >RIV/67985882:_____/03:00105870 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Some properties of very thin Bi2Te3 layers prepared by laser ablation
Original language description
The 60nm thick layers of Bi 2Te3 were prepared by laser ablation in vacuum using the KrF excimer laser. The energy of laser varied from 300 mJ - 680 mJ and the laser energy density from 2 J/cm2 - 10 J/cm2. The substrate temperature varied for different depositions in the inteup.val 20oC - 480oC. The influence of preparation conditions on Hall mobility, concentration of charged carriers and conductivity at room temperature is presented. Information about morphology and composition of prepared layers is given.
Czech name
Některé vlastnosti velmi tenkých Bi2Te3 vrstev připravených laserovou ablací
Czech description
Pomocí laserové ablace s užitím KrF excimerového laseru byly ve vakuu připraveny 60nm tlusté vrstvy Bi 2Te3. Energie laseru se měnila v rozsahu 300mJ-680mJ a hustota energie laserového svazku 2J/cm2?10J/cm2. Teplota substrátu se pro různé vzorky měnila vintervalu 20-480°C. Vliv depozičních podmínek na Hallovu pohyblivost, koncentraci nosičů a vodivost při pokojové teplotě je prezentována. Rovněž tak informace o morfologii a složení připravených vrstev.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GA202%2F02%2F0098" target="_blank" >GA202/02/0098: Study of very thin Bi2Te3 films prepared by laser ablation and their modification by scanning tunneling microscope(STm)</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2003
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002
ISBN
3-527-40436-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
5
Pages from-to
867-871
Publisher name
WileyVCH Verlag
Place of publication
Weinheim
Event location
Budapest
Event date
May 26, 2002
Type of event by nationality
EUR - Evropská akce
UT code for WoS article
—