Deep level transient spectroscopy of AlxGa 1-x As/GaAs single-quantum-well lasers

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105854" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00105854 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Deep level transient spectroscopy of AlxGa 1-x As/GaAs single-quantum-well lasers
Original language description
Deep level transient spectroscopy (DLTS) and capacitance-voltage (C-V) measurements have been made on AlGaAs/GaAs single quantum well (QW) laser diode structures. Si-related DX centres in the n-type AlGaAs layer adjacent to the QW have been observed by DLTS with reverse bias voltage and reduced bias pulse excitation. The DLTS peak of the DX centre is wiped out at zero bias and large injection pulse excitation and a new peak appears which is interpreted as being due to an electron trap inside the QW. Identification of the electron trap has been discussed.
Czech name
Lasery Al xGa 1-x /GaAs s jednou kvantovou jámou zkoumané transientní spektroskopií hlubokých hladin
Czech description
Laserové diodové struktury s jednou kvantovou jámou (QW) byly měřeny transientní spektroskopií (DLTS) a závislostmi kapacity na napětí (C-V). Pomocí DLTS s reversním přiloženým napětím a exitací redukčními pulsy byla pozorována DX centra od Si ve vrstvěAlGaAs typu n v souseddství QW. Vrchol DLTS od DX centra vymizí při nulovém předpětí a vysoké pulsní excitaci a objeví se nový vrchol, který je vyložen, jakožto způsobený elektronovou pastí uvnitř QW. Identifikace elektronové pasti je součástí diskuse.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
JB - Sensors, detecting elements, measurement and regulation
OECD FORD branch
—

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)