All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Evidence for photoluminescence band in p-type Al0.67Ga0.33As related to nonequilibrium DX- centres

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F97%3A00302990" target="_blank" >RIV/67985882:_____/97:00302990 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Evidence for photoluminescence band in p-type Al0.67Ga0.33As related to nonequilibrium DX- centres

  • Original language description

    Photoluminescence of p-type AlGaAs grown by metal-organic vapor-phase epitaxy and doped with intrinsic carbon (~ 2x1017 cm-3) is reported. Besides the lines related to the shallow impurities (C and Si), a structured band is observed 300 meV below the band gap. The thermal excitation energy and the selective excitation dependences of the BB gave evidence that its origin is related to the DX? centers produced by optical recharging of Si+ atoms.

  • Czech name

    Evidence fotoluminiscenčního pásu vztaženého k nerovnovážným DX centrům v Al0.67Ga0.33 As typu p

  • Czech description

    Prezentuje se fotoluminiscence AlGaAs typu p, připraveného metalorganickou epitaxí z plynné fáze, intrisicky dopovaného uhlíkem (~ 2x1017 cm-3). Kromě linií způsobených mělkými příměsemi (C a Si) je pozorován strukturovaný pás 300 meV pod energií zakázaného pásu. Termální excitační energie a selektivní excitační závislosti strukturovaného pásu ukazují, že jeho původ má vztah k centrům DX?, které jsou vytvářeny optickým nabíjením atomů Si+

Classification

  • Type

    J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

  • CEP classification

    BM - Solid-state physics and magnetism

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/IAA167108" target="_blank" >IAA167108: Metastable point defects in semiconductors</a><br>

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    1997

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Name of the periodical

    Journal of Luminescence

  • ISSN

    0022-2313

  • e-ISSN

  • Volume of the periodical

    72

  • Issue of the periodical within the volume

  • Country of publishing house

    NL - THE KINGDOM OF THE NETHERLANDS

  • Number of pages

    3

  • Pages from-to

    333-335

  • UT code for WoS article

  • EID of the result in the Scopus database