Preparation of doped and co-doped indium phosphide single crystals

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105894" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00105894 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Preparation of doped and co-doped indium phosphide single crystals
Original language description
Indium phosphide crystals doped with various impurity atoms were grown by liquid encapsulation Czochralski method. The wafers of the grown crystals were characterized by resistivity an Hall measurements and their suitability for radiation detection was assessed.
Czech name
Příprava dopovaných a kodopovaných monokrystalů fosfidu inditého
Czech description
Krystaly fosfidu inditého byly vypěstovány metodou Czochralského s kapalným uzávěrem. Destičky z vypěstovaných krystalů byly charakterizovány měřením rezistivity a Hallova napětí a byla zhodnocena jejich vhodnost pro radiační detekci.

Project
<a href="/en/project/IBS2067354" target="_blank" >IBS2067354: X-ray detectors based on InP</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Development of Materials Science in Research and Education. Proceedings of the 14th Joint Seminar
ISBN
80-7345-032-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
2
Pages from-to
50-51
Publisher name
MAXDORF
Place of publication
Praha
Event location
Lednice
Event date
Aug 31, 2004
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—

Similar results(10)